[发明专利]一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器

权利要求书

1.一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，包括衬底、布拉格反射层和压电三明治结构，其特征在于：所述的压电三明治结构由上到下依次为上电极、压电层与下电极；所述的布拉格反射层置于衬底上，压电三明治结构置于布拉格反射结构上；布拉格反射层的每一层中均嵌入散射体形成声子晶体。

2.根据权利要求1所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述衬底的材料为单晶硅、碳化硅、多晶硅、蓝宝石、铌酸锂、金刚石或蓝宝石。

3.根据权利要求1所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述压电层的材料为氮化铝、铌酸锂、锆钛酸铅、钛酸锶钡、氧化锌或PZT。

4.根据权利要求1所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述上电极和下电极的材料均为铝、钼、金、钨、钛、银、铂或钛钨合金。

5.根据权利要求1所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述的布拉格声反射层由低声阻抗层与高声阻抗层交替堆叠形成，总层数为3～9层；其中，布拉格反射层每层的厚度为该体声波谐振器在并联谐振处激发的声波信号在该层材料中波长的四分之一或四分之三；布拉格反射层中相邻的低声阻抗层与高声阻抗层的声阻抗比值范围为2～4。

6.根据权利要求1所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述嵌入布拉格反射层的散射体与布拉格反射层共同构成器件底部声反射层。

7.根据权利要求5所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述低声阻抗层中的散射体和高声阻抗层均为高声阻抗材料，且低声阻抗层与该散射体的声阻抗比值为0.1～0.9。

8.根据权利要求7所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述高声阻抗层中的散射体和低声阻抗层均为低声阻抗材料，且高声阻抗层与该散射体的声阻抗比值为2～8。

9.根据权利要求5、7或8所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述低声阻抗层和高声阻抗层中的散射体直径均为50nm～1000nm。

10.根据权利要求8所述一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器，其特征在于：所述的低声阻抗材料为铝、二氧化硅、多孔硅或聚酯酰胺；高声阻抗材料为钼、钨、钛、钛钨合金或氮化铝。