[发明专利]一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，包括下电极、压电层、上电极和接触电极；其特征在于：还包括下部声反射层和上部声反射层；所述的衬底上刻蚀有空腔，空腔上覆盖有下电极；衬底上位于下电极的周围沉积有下部声反射层，且下部声反射层与下电极接触；所述的下部声反射层以及下电极上沉积有压电层，压电层上沉积有上电极和上部声反射层；上部声反射层位于上电极的周围，并与上电极接触；所述的压电层中刻蚀出通孔一，通孔一刻蚀到下电极的上表面；所述的压电层和下电极中刻蚀出通孔二，通孔二刻蚀到牺牲层的上表面，并且通孔一和通孔二位于上部声反射层的外围，不接触上部声反射层；通孔一中以及压电层上远离上电极的方向上沉积有接触电极；所述的接触电极与下电极相连。

2.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：制备下电极时，首先在空腔内沉积牺牲层，然后在衬底以及牺牲层上沉积下电极；而牺牲层的去除方式为：在刻蚀好通孔二后，在通孔二中释放腐蚀液或腐蚀气体，来腐蚀牺牲层，从而重新形成开放的空腔。

3.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的下电极、压电层和上电极构成压电振荡堆；所述压电振荡推的形状为梯形、三角形、长方形、正方形、非规则多边形、圆形或椭圆形中的任意一种。

4.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的下部声反射层和上部声反射层构成声反射层。

5.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述空腔的形状为梯形、三角形、长方形、正方形、非规则多边形、圆形或椭圆形中的任意一种。

6.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述下电极和上电极的材料均为铜、银、钛、钼、钨、铝、金、铂中的任意一种。

7.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电层的材料为氮化铝、氧化锌、铌酸锂、镍酸锂或锆钛酸铅中的任意一种。

8.根据权利要求1或7所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电层的面积大于上电极以及下电极的面积，且下电极的面积大于牺牲层的面积。

9.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述接触电极的材料为铜、银、钛、钼、钨、铝、金、铂中的一种或多种按任意配比组合。

10.根据权利要求1所述一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述下部声发射层和上部声反射层的材料均为氮化铝、碳化硅、氮化硅、钼、钨、铝、金、铂中一种或多种按任意配比组合，且下部声发射层和上部声反射层的材料与下电极、上电极以及压电层的材料都不相同。