[发明专利]一种高矫顽力铝镍钴磁体及其制备方法有效
申请号: | 202110683835.1 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113416904B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 张保国;王晓和;王占国;张建雄;丁杰 | 申请(专利权)人: | 杭州科德磁业有限公司 |
主分类号: | C22C38/06 | 分类号: | C22C38/06;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/16;C22C38/60;C22C38/08;C21D1/04;C21D1/18;C21D1/26;C21D6/00;C22C33/04;H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 周红芳;余培养 |
地址: | 311500 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 矫顽力 铝镍钴 磁体 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种高矫顽力铝镍钴磁体及其制备方法,所述高矫顽力铝镍钴磁体以重量份数计,其配方的原料含量组成如下:Al:6‑8%,Ni:12‑14%,Co:38‑41%,Ti:7.5‑9%,Cu:2.5‑4%,Nb:0.5‑1%,S:0.2‑0.5%,A:0.05‑5%,余为Fe;其中A表示IVB族元素中的一种或几种组合。本发明能够实现高矫顽力铝镍钴磁体的批量稳定生产,本发明高矫顽力铝镍钴磁体的配方原料,在常规添加微量元素硫S、铌Nb、硅的基础上,添加少量IVB族元素,IVB族元素可以清除晶界中含有的C、S、Si等有害元素,对矫顽力的提高有明显帮助。
技术领域
本发明涉及磁性材料领域,具体涉及一种高矫顽力铝镍钴磁体及其制备方法。
背景技术
铝镍钴作为一种重要的永磁材料,具有高的剩磁、低的温度系数、高的温度稳定性,被广泛应用于电子电声、仪器仪表、自动化、航空航天等领域,铝镍钴永磁合金目前有烧结工艺和铸造工艺两种常规生产工艺,按性能通常分为2类、3类、5类、6类、8类、9类,8类分为高剩磁和高矫顽力2种,高矫顽力的具有高钴高钛,称之为高钛钴磁钢,对应的目前国家标准的AlNiCo36/15牌号,磁参数为Br≥700mT,Hcb≥140 kA/m,(BH)max≥36 kJ/m3,行业内高钛钴磁钢正常的水平矫顽力在140~160kA/m之间,对于矫顽力大于160kA/m,具有相当的难度,无法大批量稳定生产,成品率低。
发明专利ZL200510061461.0公开了轴晶铝镍钴钛永磁合金的制造工艺,采用真空铸造工艺,添加微量元素Si和Sm,获得的磁性能为Br:760~965mT,Hcb:129~165 kA/m,Hcj:135~176kJ/m,(BH)max:48~58.4kJ/m3,该工艺适合制造矫顽力低于160kA/m的性能。发明专利申请201910086669.X公开了一种高矫顽力铝镍钴永磁合金及其制造方法,主要通过添加Sm,Nb,Zr等元素,采用真空熔炼工艺,水冷坩埚浇铸快速冷却,形成定向柱状晶组织,获得的磁性能较高,但是该工艺只能制造定向柱状晶产品,无法获得等轴晶高矫顽力磁体。
铝镍钴磁体的矫顽力比较低,高钛钴磁钢由于具有非常高的钴和钛含量,矫顽力基本在160kA/m以内,在热处理必须要快速冷却,但过快的冷却速度引起材料脆性加大,非常容易掉晶开裂,存在无法进行大批量稳定生产的技术问题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述技术问题,本发明的目的在于提供一种高矫顽力铝镍钴磁体及其制备方法,本发明能够实现高矫顽力铝镍钴磁体的批量稳定生产。
所述的一种高矫顽力铝镍钴磁体,其特征在于以重量份数计,其配方的原料含量组成如下:
Al:6-8%,Ni:12-14%,Co:38-41%,Ti:7.5-9%,Cu:2.5-4%,Nb:0.5-1%,S:0.2-0.5%,A:0.05-5%,余为Fe;
其中A表示除Ti以外的其他IVB族元素中的一种或几种组合。
所述的一种高矫顽力铝镍钴磁体,其特征在于所述A表示Hf和 Zr中的一种或两种组合。
所述的一种高矫顽力铝镍钴磁体的制备方法,其特征在于按照配方的原料含量组成,将所有原料混合在一起,先真空熔炼制备合金,然后依次经退火、毛坯粗加工、固溶、磁场冷却处理、磁场等温处理和分级时效处理,即得到产品。
所述的一种高矫顽力铝镍钴磁体的制备方法,其特征在于所述真空熔炼的处理过程为:将原料置于真空熔炼炉中,先抽真空至5Pa以下,然后充入Ar至压力为0.02-0.04MPa,加热升温至1600-1800℃下后保温15-30min,最后随炉自然冷却至室温。
所述的一种高矫顽力铝镍钴磁体的制备方法,其特征在于所述退火的处理过程为:将真空熔炼后的合金先预热至700-900℃,然后进一步加热升温至1100-1200℃后保温1-3h,随炉自然冷却至室温。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州科德磁业有限公司,未经杭州科德磁业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110683835.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。