[发明专利]一种铪基铁电存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110683895.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113437049B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 朱颢;陈佩瑶;刘逸伦;曹园园;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/11507;H01L21/02;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铪基铁电 存储器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铪基铁电存储器，其特征在于，
包括多个铪基铁电存储器单元，利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现存算一体的功能，
其中，所述铪基铁电存储器单元包括：
衬底；
底电极，形成在所述衬底上；
铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上，其中，铪元素和铝元素的生长循环比为34:1；
顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。
2.根据权利要求1所述的铪基铁电存储器，其特征在于，
所述底电极为Ti/Pt。
3.根据权利要求1所述的铪基铁电存储器，其特征在于，
所述顶电极为TiN。
4.一种铪基铁电存储器制备方法，其特征在于，
包括以下步骤：
在衬底上形成底电极；
在所述底电极上采用原子层沉积方法形成铪铝氧薄膜，铪元素和铝元素的生长循环比为34:1；
在所述铪铝氧薄膜上形成顶电极；
进行退火使所述铪铝氧薄膜结晶形成铁电体获得铪基铁电存储器单元；
利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现存算一体的功能。
5.根据权利要求4所述的铪基铁电存储器制备方法，其特征在于，
所述底电极为Ti/Pt。
6.根据权利要求4所述的铪基铁电存储器制备方法，其特征在于，
所述顶电极为TiN。
7.根据权利要求4所述的铪基铁电存储器制备方法，其特征在于，
所述退火过程在氮气氛围下进行，温度为500℃～800℃，时间为30s。
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