[发明专利]具有隔离阴极和公共阳极的垂直腔面发射激光器阵列

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列，包括：

n型衬底层，具有顶部表面和底部表面；

n型金属，在所述n型衬底层的底部表面上，所述n型金属形成用于包括VCSEL阵列的一组VCSEL阵列的公共阳极；

底部镜结构，在n型衬底层的顶部表面上，该底部镜结构包括：

一个或多个底部镜部分，以及

隧道结，以反转底部镜结构内的载流子类型；

有源区，在底部镜结构上；

氧化层，提供VCSEL阵列的VCSEL的光学和电学限制；

n型顶部镜，在有源区上；

顶部接触层，在n型顶部镜上方；和

顶部金属，在顶部接触层上，该顶部金属形成VCSEL阵列的隔离阴极。

2.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其中所述顶部接触层是n型接触层，并且所述顶部金属是另一n型金属，所述n型接触层在所述n型顶部镜上，并且所述另一n型金属在所述n型接触层上。

3.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其中所述氧化层在所述有源区下方，并且在所述底部镜结构上或中。

4.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其中所述氧化层在所述有源区上方，并且在所述n型顶部镜上或中。

5.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其中所述一个或多个底部镜部分包括n型底部镜部分，

其中n型底部镜部分在n型衬底层的顶部表面上，隧道结在n型底部镜部分上。

6.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其中所述一个或多个底部镜部分包括p型底部镜部分，

其中p型底部镜部分在隧道结上，有源区在p型底部镜部分上。

7.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，还包括另一隧道结，所述另一隧道结在所述n型顶部镜上，

其中顶部接触层是p型接触层，顶部金属是p型金属，p型接触层在另一隧道结上，p型金属在p型接触层上。

8.根据权利要求1所述的VCSEL阵列，其中该组VCSEL阵列在同一集成电路上。

9.一种光学设备，包括：

多个垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列，所述多个VCSEL阵列包括：

在n型衬底层的第一表面上的n型金属，该n型金属形成用于多个VCSEL阵列中的每个VCSEL阵列的公共阳极；

在n型衬底层的第二表面上的底部镜结构，该底部镜结构包括：

至少一个底部镜部分，以及

隧道结，以反转底部镜结构内的载流子类型；

在底部镜结构上的有源区；

氧化层，以提供包括在所述多个VCSEL阵列中的VCSEL的光学和电学限制；

在有源区上的n型顶部镜；

在n型顶部镜上方的顶部接触层；和

在顶部接触层上的顶部金属，该顶部金属形成用于所述多个VCSEL阵列中每个VCSEL阵列的隔离阴极。

10.根据权利要求9所述的光学设备，其中所述顶部接触层是n型接触层，并且所述顶部金属是另一n型金属，所述n型接触层在所述n型顶部镜上，并且所述另一n型金属在所述n型接触层上。

11.根据权利要求9所述的光学设备，其中所述氧化层在所述有源区下方，并且在所述底部镜结构上或中。

12.根据权利要求9所述的光学设备，其中所述氧化层在所述有源区上方，并且在所述n型顶部镜上或中。

13.根据权利要求9所述的光学设备，其中所述至少一个底部镜部分包括n型底部镜部分，

其中n型底部镜部分在n型衬底层的第二表面上，隧道结在n型底部镜部分上。