[发明专利]一种无刷电机无感低速大扭矩启动控制方法

说明书

本发明公开了一种无刷电机无感低速大扭矩启动控制方法，包括MCU、MOS drive inverter、电机；所述MCU与MOS drive inverter连接，所述MOS drive inverter分别连接有电机的U相、V相、W相，所述MOS drive inverter与电机的U相、V相、W相连接的线路上分别连接有电阻R1、电阻R2和电阻R3；所述电阻R1、电阻R2和电阻R3上分别串联有电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述MCU的Vbemf_u连接在电阻R3和电阻R6之间，所述MCU的Vbemf_v连接在电阻R2和电阻R5之间，所述MCU的Vbemf_w连接在电阻R1和电阻R4之间，所述MCU的Vbemf_n连接有电阻R7、电阻R8和电阻R9。本发明，低速大扭矩启动顺畅，低速启动不反转，带载能力更强，高速运行不卡顿。

技术领域

本发明涉及无刷电机启动控制技术领域，具体是一种无刷电机无感低速大扭矩启动控制方法。

背景技术

无刷直流电机(BLDCM)具有结构简单、运行效率高和调速性能好等优点，在工业和商业领域得到广泛应用。近年来，无刷直流电机的无位置传感器控制一直是国内外的研究热点，随着电子技术的发展，无传感器控制方案也越来越成熟，较为常见的无传感器转子位置信号检测方法有反电动势法、定子电感法、续流二极管法、磁链估计法和状态观测器法等，其中反电动势法最为有效实用。

无刷电机通过三相逆变桥来驱动，根据转子位置的不同，在任意时刻，电机线圈绕组中只有两相导通，另外一相不导通，通过测量不导通相的端电压，与电机的绕组中点电压进行比较，以得到反电动势的过零点。目前常用不导通相电压过零点检测方法有：全程比较器法和全程ADC法。

电机静止状态下没有反电动势，通过6脉冲定位或强拖至某固定位置以得到转子初始位置。全程比较器法是在获得初始位置后强制换相2~3个电角度，使转子能够快速的运转起来，从而产生反电动势，当比较器检测到反电动势后就能正确获取过零点信息，闭环运行起来。但是此方法是强制拖动，无法正常获取过零信息而去换相，很容易造成反转，而且在低速时，由于反电动势非常小，易造成过零点检测错误，所以一般应用在低负载的高速产品中。在低速运转时就比较适合ADC检测反电动势电压，在PWMON期间检测反电动势电压，判断是否高于或低于过零点设定值，从而正确得到过零点信息。但是在高速时，由于受ADC采样转换速度限制，会导致过零点滞后或丢失。所以综上所述，比较器和ADC检测过零点都有一定的局限性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种无刷电机无感低速大扭矩启动控制方法，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种无刷电机无感低速大扭矩启动控制方法，包括MCU、MOS drive inverter、电机；所述MCU与MOS drive inverter连接，所述MOS drive inverter分别连接有电机的U相、V相、W相，所述MOS drive inverter与电机的U相、V相、W相连接的线路上分别连接有电阻R1、电阻R2和电阻R3；所述电阻R1、电阻R2和电阻R3上分别串联有电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述MCU的Vbemf_u连接在电阻R3和电阻R6之间，所述MCU的Vbemf_v连接在电阻R2和电阻R5之间，所述MCU的Vbemf_w连接在电阻R1和电阻R4之间，所述MCU的Vbemf_n连接有电阻R7、电阻R8和电阻R9，所述电阻R7、电阻R8和电阻R9分别连接Vbemf_w、Vbemf_v和Vbemf_u；其控制方法包括以下步骤：

S1：电机在静止状态下,通过6脉冲定位获得初始位置；

S2：PWM ON，第一次换向；

S3：判断反电动势电压是否大于或小于上桥驱动电压的1/2；

S4：如果步骤S3中判断反电动势电压不是大于或小于上桥驱动电压的1/2，则ADC转换完成，获取反电动势电压，再次判断反电动势电压是否大于或小于上桥驱动电压的1/2；

S5：如果反电动势电压大于或小于上桥驱动电压的1/2，则延时1/2反电势过零间隙；