[发明专利]一种金属电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110685010.3 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113423189B 公开(公告)日: 2022-11-25
发明(设计)人: 王功;王旭阳;李雪征;李俊慧;冯亚丽;郭育梅;贾赫 申请(专利权)人: 北京世维通科技股份有限公司
主分类号: H05K3/18 分类号: H05K3/18
代理公司: 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 代理人: 任万玲;杨仁波
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属电极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种金属电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

在待镀基板上制作图形化种子层,在所述待镀基板的指定区域形成无图形化种子层覆盖的区域;

在所述待镀基板和所述图形化种子层上制作掩膜图形;

在带有所述掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上沉积金属层,形成金属电极;

其中,在待镀基板上制作图形化种子层,在所述待镀基板的指定区域形成无图形化种子层覆盖的区域的步骤中,通过如下方式确定所述指定区域:在无图形种子层上电镀形成电极时,在电极厚度大于设定厚度值的区域范围内的待镀基板上设置所述指定区域;

在待镀基板上制作图形化种子层,在所述待镀基板的指定区域形成无图形化种子层覆盖的区域的步骤还包括:

将所述图形化种子层划分为至少两个电绝缘的独立区域;其包括:

根据无图形种子层上电镀形成电极时种子层内电流密度的分布,按照种子层内电流密度的分布梯度在所述图形化种子层上设置至少两个电绝缘的独立区域。

2.根据权利要求1所述的金属电极的制备方法,其特征在于,在待镀基板上制作图形化种子层,在所述待镀基板的指定区域形成无图形化种子层覆盖的区域的步骤中:

所述指定区域的形状为任意形状的封闭图形或半封闭图形,其中所述封闭图形包括但不限于矩形、圆形、梯形或三角形。

3.根据权利要求1所述的金属电极的制备方法,其特征在于,将所述图形化种子层划分为至少两个电绝缘的独立区域的步骤中:

每一所述独立区域的形状为任意形状的封闭图形或半封闭图形,其中所述封闭图形包括但不限于矩形、圆形、梯形或三角形。

4.根据权利要求3所述的金属电极的制备方法,其特征在于,将所述图形化种子层划分为至少两个电绝缘的独立区域的步骤中:

至少一个封闭图形的独立区域将所述待镀基板暴露出来。

5.根据权利要求1-4任一项所述的金属电极的制备方法,其特征在于,在带有所述掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上沉积金属层,形成金属电极的步骤中:

所述金属电极的厚度和宽度之比大于2。

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