[发明专利]用于熔融玻璃的方法和装置

权利要求书

1.一种用于熔融冷坩埚内玻璃的方法，其特征在于，包括：

控制加热件的高度降低，以使所述加热件与所述冷坩埚内的玻璃接触；

接通所述加热件的电源，以使所述加热件对所述玻璃进行加热；

当所述玻璃开始熔融时，接通所述冷坩埚的电源，产生电磁场，以对所述玻璃熔融形成的熔区进行加热；

当形成足够的玻璃熔区后，关闭所述加热件的电源，控制所述加热件的高度升高，以使所述加热件远离所述玻璃；

通过所述电磁场继续对所述玻璃熔区进行加热，直至所述玻璃完全熔融；

其中，所述加热件包括：导体或半导体加热件，或者，至少一个加热电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述加热电极包括：硅钼电极、钼电极、钼合金电极或者碳钼电极。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导体或半导体加热件由导体或半导体材料制成。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导体或半导体材料包括石墨、硅钼、氮化碳、碳化硅或者氮化硅结合碳化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热件与所述玻璃接触，包括：

所述加热件至少部分地插入所述玻璃中。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述加热件的高度升高，以使所述加热件远离所述玻璃，包括：

控制所述加热件升高至所述冷坩埚内靠近所述冷坩埚的盖体处。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，控制所述加热件的高度升高，以使所述加热件远离所述玻璃，包括：

控制所述加热件升高直至从所述冷坩埚中移出。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述足够的玻璃熔区，包括：

在所述电磁场的作用下能够逐渐扩大至所述玻璃完全熔融的玻璃熔区。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述加热件远离所述玻璃后，调节所述冷坩埚的电源的频率和/或功率至预定值。

10.如权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述玻璃包括：

玻璃原料；或者

玻璃体，所述玻璃体包括所述玻璃原料或者所述玻璃原料和待处理物料在所述冷坩埚内熔融后由于失去加热源而冷却固化形成的玻璃体。

11.一种用于熔融玻璃的装置，其特征在于，包括：

冷坩埚(10)，所述冷坩埚内放置有玻璃(20)，所述冷坩埚的侧壁外设置有感应线圈(11)；

第一电源，与所述感应线圈(11)连接，用于为所述感应线圈(11)提供电流以在所述冷坩埚(10)内产生电磁场；

加热件，用于加热所述玻璃(20)以使所述玻璃(20)开始熔融；

第二电源(40)，与所述加热件连接，用于为所述加热件提供电流以产生热量；

升降组件，与所述加热件连接，用于控制所述加热件的高度，以使所述加热件接触或者远离所述玻璃(20)；

其中，所述加热件包括：导体或半导体加热件(31)，或者，至少一个加热电极(32)。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述冷坩埚还包括：

盖体(12)，所述盖体(12)上开设有至少一个通孔(13)，用于穿设所述加热件与所述第二电源(40)之间的连接线，和/或，所述加热件与所述升降组件之间的连接件。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述通孔(13)的尺寸大于所述加热电极(32)的尺寸，所述通孔(13)还用于供所述加热电极(32)移入或移出所述冷坩埚(10)。