[发明专利]一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法

权利要求书

1.一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1、切片2×2cm硅片，取硅片，对硅片清洗处理后，通过光刻胶对硅片进行匀胶；

步骤2、将匀胶后的硅片通过掩膜版进行曝光，再通过显影液进行显影，随后进行坚膜，获得显影样片；

步骤3、在显影样片上依次蒸镀铬、铜，在显影样片上形成叉指电极；

步骤4、将含叉指电极的显影样片分别用丙酮、AZ去胶液、丙酮、乙醇、去离子水进行去胶，取出，在热板上进行烘干，获得含叉指电极的硅片；

步骤5、将质量分数为97％PFBT的溶液与无水乙醇按照1:10体积混合后置于培养皿中，将两个硅片不含叉指电极的一面用胶带粘连在一起，放置在培养皿中，将培养皿放在真空箱中静置，获得含有修饰层的硅片；

步骤6、对含有修饰层的硅片进行真空蒸镀得到并五苯有源层，将得到的蒸镀有并五苯有源层的硅背面粘贴栅电极，得到有机场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，步骤1具体过程为：

步骤1.1、采用激光切割机将切割获得2×2cm的硅片；

步骤1.2、将各硅片依次用丙酮、无水乙醇、去离子水各超声分别清洗10～15min，将清洗好的硅片在100℃的无水乙醇中，使硅片与液面夹角成45°进行热提拉；

步骤1.3、通过匀胶机内的光刻胶对步骤1.2得到硅片经热提拉一面的表面进行匀胶，匀胶转速为4000rpm，时间为30s，厚度为28～32nm。

3.根据权利要求1所述一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述光刻胶型号为AZ5214。

4.根据权利要求1所述一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，步骤2具体过程为：

步骤2.1、匀胶完成之后的硅片需要放在90℃的热板上进行前烘，前烘时间为1min；

步骤2.2、用带有沟道长度80～110μm图案的掩模板正对前烘后硅片匀胶的一面进行曝光，曝光时间为7s，再将曝光后的硅片放置在110℃的热板上进行后烘，后烘时间为1min，将后烘好的硅片带有匀胶的一面正对光源进行二次泛曝光，曝光时间为40s；

步骤2.3、将曝光后的硅片放置于显影液中进行显影，显影时间为40～60s，随后取出，并用去离子水清洗；

步骤2.4、将去离子水清洗的硅片放置于干燥箱中进行坚膜，调整温度为90～100℃，时间为5～7min，随后取出置于真空干燥箱中、冷却、干燥得到显影样片。

5.根据权利要求2所述一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，步骤2.3中所述显影液的型号为AZ-300MIF。

6.根据权利要求1所述一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，步骤3具体过程为：将步骤2中得到的显影样片置于ZHD-300真空设备，控制真空度不大于1×10^-4Pa，在显影样片上经掩膜版进行曝光的一面依次蒸镀2nm的铬、28nm的铜，在显影样片上形成叉指电极。

7.根据权利要求1所述一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，步骤4具体过程为：

步骤4.1、将含叉指电极的显影样片置于装有丙酮的容器中并放入超声波清洗机中，超声10min进行一次去胶；

步骤4.2、将一次去胶完后的样片置于装有AZ去胶液的试管中并放入超声波清洗机中，超声10min进行二次去胶；

步骤4.3、将二次去胶完成后的样片分别顺序置于装有丙酮、无水乙醇、去离子水的试管中并放入超声波清洗机中，分别顺序超声10min、5min、10min进行表面清洗，取出样片，放置于100℃的热板上进行烘干，获得含叉指电极的硅片。