[发明专利]高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法

权利要求书

1.一种高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：分别选取6N多晶硅重掺原料和5N多晶硅高阻原料，其中所述6N多晶硅重掺原料电阻率要求0.0001-0.0009Ω.cm，所述5N多晶硅高阻原料电阻率要求≥0.05Ω.cm；

分别对两种原料进行：打磨清洁原料外表→破碎制成10-100目粗粉→磁选除铁→进一步气流粉碎制成100-500目粉末→气流分级后形成100-400目的半成品原料，分别测试两种半成品原料的杂质含量；

步骤二：将6N多晶硅半成品原料和5N多晶硅半成品半成品原料混合稀释，制得高纯硅粉末；

所述高纯硅粉末中氧含量≤800ppm，氮≤100ppm；除气体元素外，其他杂质含量如下：B≤10ppm，Fe≤10ppm，Al≤10ppm，Ca≤10ppm，P+As的含量≤700ppm；除O、N外，Si总体纯度≥99.99%；

步骤三：对由不锈钢或钛制成的背管进行机加工；

之后将步骤二制得的高纯硅粉末进行等离子喷涂到背管得到靶材；再对靶材进行表面抛光，最后进行机加工。

2.如权利要求1所述高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述等离子喷涂为：

使用工装把背管装配至等离子喷涂设备，所述等离子喷涂工艺的参数为：冷却水温：0-80℃；喷嘴：直口，口径6-12mm；枪距50-500 mm；弧电流150-1000 A；弧电压30-300 V；送粉量10-100g/ g/min/路；Ar流量1000-5000L/H，压力0.3-0.8Mpa；H²流量100-1500L/H，压力0.3-0.8Mpa；载气流量50-500 L/H；风量＞1 m/s，旋转转速10-500r/min，行走速度5-500mm/s。

3.如权利要求2所述高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：喷涂采用真空喷涂，确保腔体负压，氧含量为0%VOL；或采用气氛保护喷涂，气氛保护喷涂的气体为氦气、氮气、氩气中的任意一种。

4.如权利要求3所述高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：气氛保护喷涂的气体为氮气，流量1-1000Nm³/h，微正压，氧含量为0%VOL进行喷涂，喷涂单边厚度控制在1-15mm。

5.如权利要求1所述高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤三中对背管机加工后还包括对其进行表面先进行喷砂粗化再进行电弧喷涂粗化。

6.如权利要求1所述高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述抛光采用60-400目金刚石砂带进行抛光。

7.如权利要求1所述高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述机加工包括对两端及管口进行车两端、精修。