[发明专利]一种极紫外GaN UV-LED外延结构在审
| 申请号： | 202110686783.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299807A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 南琦;刘银 | 申请（专利权）人： | 木昇半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/64;H01L33/04;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 gan uv led 外延 结构 | ||
1.一种极紫外GaN UV-LED外延结构，包括衬底层(1)，其特征在于：所述衬底层(1)上设有外延层(4)，所述外延层(4)设有多组，所述外延层(4)等距离设置，且每组外延层(4)之间设置有分隔层(3)，所述外延层(4)与衬底层(1)之间设有划痕层(2)。
2.根据权利要求1所述的一种极紫外GaN UV-LED外延结构，其特征在于：所述外延层(4)包括半导体模板层(8)、缓冲层(9)、高温n-GaN层(10)、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层(11)、高温p-AlGaN电子阻挡层(12)和p型掺杂AlGaN层(13)，所述缓冲层(9)设置在半导体模板层(8)上，所述高温n-GaN层(10)设置在缓冲层(9)上，所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层(11)设置在高温n-GaN层(10)上，所述高温p-AlGaN电子阻挡层(12)设置在p型掺杂AlGaN层(13)上。
3.根据权利要求2所述的一种极紫外GaN UV-LED外延结构，其特征在于：所述缓冲层(9)包括GaAs层和AlGaAs层组成，且GaAs层和AlGaAs设置有多组，所述GaAs层、AlGaAs层交替堆叠组成超晶格结构。
4.根据权利要求1所述的一种极紫外GaN UV-LED外延结构，其特征在于：所述衬底层(1)包括导电衬底(5)、反光层(6)和金属电极层(7)，所述金属电极层(7)设置在反光层(6)上，所述反光层(6)设置在导电衬底(5)上。
5.根据权利要求1所述的一种极紫外GaN UV-LED外延结构，其特征在于：所述半导体模板层(8)采用氧化物铬。
6.根据权利要求1所述的一种极紫外GaN UV-LED外延结构，其特征在于：所述划痕层(2)上设有切割痕(14)，且切割痕(14)为弯曲状。
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