[发明专利]一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法

权利要求书

1.一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)配制电镀Cr溶液：将硫酸铬、氯化铵、硼酸、甘氨酸药品加入电沉积槽中，然后向槽中加入去离子水，搅拌；

2)配制电镀Cu溶液：在电镀槽中加入水，再依次加入硫酸铜、氯离子和硫酸，搅拌；

3)电沉积Cr晶核：将铜片固定在阴极板上接入电源负极，以钛篮为阳极接入电源正极，调节电流大小，调节加热温度，进行电沉积得到离散Cr晶核，根据电化学沉积曲线计算沉积Cr的晶核密度；

4)电镀Cu箔：将沉积有Cr晶核的铜片固定在阴极板上接入电源负极，将含磷1％～3％的磷铜块放入阳极篮中并接入电源正极，调节电流大小，调节加热温度，进行电镀得到铜箔。

2.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离的超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤1)中，所述硫酸铬的质量-体积浓度为20～40g/L，氯化铵的质量-体积浓度为200～400g/L，硼酸的质量-体积浓度为60～100g/L，甘氨酸的质量-体积浓度为20～50g/L；所述去离子水的温度为20～25℃。

3.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤1)中，所配制的电镀Cr溶液pH为3.0～3.5；所配制的电镀Cr溶液在20～25℃条件下静置8～15h。

4.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤2)中，所述水的温度为20～25℃。

5.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤2)中，所述硫酸铜的质量-体积浓度为190～230g/L，氯离子的质量-体积浓度为50～100mg/L，纯硫酸的质量-体积浓度为45～75g/L。

6.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤2)中，所配制的电镀Cu溶液在20～25℃条件下保温8～15h，最好在25℃条件下保温12h。

7.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤3)中，所述电流的密度为5～10A/dm²；所述电沉积的时间为3～5s；所述加热温度可为40～50℃，最好为43℃。

8.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤4)中，所述电流密度为5～10A/dm²；所述电镀的时间为60～120s，加热温度可为20～30℃，最好为25℃。

9.如权利要求1所述一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，其特征在于在步骤4)中，所述铜箔的厚度为1～4μm。