[发明专利]能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置

权利要求书

1.一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法，其特征在于，包括以下步骤:

化料：将硅料熔化，得到硅熔汤；其中，化料结束后，氩气流量为a，拉晶炉的炉内压力为b，坩埚转速为c；

降氧处理：搅拌硅熔汤，同时提高氩气流量至1.5a～3a和/或提高炉内压力至1.5b～3b。

2.如权利要求1所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法，其特征在于，步骤“降氧处理”中，搅拌方向与坩埚旋转方向相反，且搅拌速率为1c～3c。

3.如权利要求1所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法，其特征在于，步骤“降氧处理”中，搅拌硅熔汤，同时提高氩气流量至2a和/或提高炉内压力至2b。

4.如权利要求3所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法，其特征在于，步骤“降氧处理”中，搅拌硅熔汤，同时提高氩气流量至2a，并提高炉内压力至2b。

5.一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，包括单晶炉炉体、设置在所述单晶炉炉体上的籽晶提升旋转机构及设置在所述单晶炉炉体内的坩埚，所述籽晶提升旋转机构包括重锤及驱动所述重锤转动的旋转驱动组件，其特征在于，还包括搅拌器，所述搅拌器能够与所述重锤可拆卸连接，且所述搅拌器端部能够伸入所述坩埚内部。

6.如权利要求5所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，其特征在于，所述搅拌器包括连接轴，所述连接轴的一端设置有连接螺纹，所述连接螺纹能够螺接于所述重锤的下端。

7.如权利要求6所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，其特征在于，所述搅拌器还包括设置在所述连接轴下端的至少两个高纯石英桨叶，所述高纯石英桨叶设置为弧形面。

8.如权利要求6所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，其特征在于，所述连接轴上设置有卡槽。

9.如权利要求7所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，其特征在于，所述高纯石英桨叶的高度为坩埚高度的1/3～1/2。

10.如权利要求7所述的能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，其特征在于，所述高纯石英桨叶的叶展为坩埚半径的1/3～1/2。