[发明专利]一种外腔窄线宽激光器有效
| 申请号： | 202110688731.X | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113410755B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 陈少康;陈伟;徐长达;王健;齐艺超;班德超;穆春元;李明;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/065;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外腔窄线宽 激光器 | ||
1.一种外腔窄线宽激光器，其特征在于，包括：
热沉，上端面形成有一沿左右向延展的安装区；
芯片，设于所述安装区内；
电极，设于所述芯片的上方；
耦合透镜，设于所述安装区内，并位于所述芯片的右侧；
多模干涉波导结构，包括若干个单模波导和若干个多模波导，若干个所述单模波导和若干个所述多模波导沿光轴依次交替设于所述安装区内，并位于所述耦合透镜的右侧；以及，
反射结构，设于所述安装区内，并位于所述多模干涉波导结构的右侧。
2.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，若干个所述单模波导和若干个所述多模波导呈直线排布。
3.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，若干个所述单模波导和若干个所述多模波导呈曲线排布。
4.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述芯片为增益芯片。
5.如权利要求4所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述增益芯片为砷化镓基半导体增益芯片、或铟磷基半导体增益芯片。
6.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述芯片的左端面为出射光端面，所述芯片的右端面为反馈光端面。
7.如权利要求6所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述反馈光端面镀有增透膜。
8.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述反射结构为高反膜。
9.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述反射结构为光纤环形反射镜。
10.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述反射结构为光栅。
11.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述反射结构为平面反射镜。
12.如权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述单模波导和所述多模波导为硅基波导。
13.如权利要求12所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述硅基波导中的硅为二氧化硅或是氮化硅。
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