[发明专利]真空处理装置和真空处理方法

权利要求书

1.一种真空处理装置，包括：

处理单元，包括：

处理室，设置在真空容器中，并且其中形成有等离子体；

样品台，设置在所述处理室中形成了所述等离子体的空间的下方，并且所述样品台的上表面上安装有具有处理对象膜的晶片；

光接收单元，设置在所述处理室上方，并且被配置为在使用所述等离子体处理所述晶片期间接收来自所述晶片的光；以及

检测器，连接到所述光接收单元，并且被配置为检测所述处理期间所述处理对象膜的厚度或所述处理的终点的到达，其中，

所述检测器被配置为：通过将用于检测的模式与真实模式进行比较来检测所述处理对象膜的厚度，在所述用于检测的模式中，将预先获得的相对于所述处理对象膜的厚度变化的、与多个波长的光的强度相关的预定值的波长用作参数，所述真实模式是在所述处理期间在特定时间获得的与所述多个波长的光的强度相关的预定值的真实模式，以及

通过将所述多个波长的光的强度的时间序列数据的微分系数值除以指示所述多个波长的光的强度值的时间序列数据，来获得与光的强度相关的预定值。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，

通过将去除了噪声的时间序列数据的微分系数值除以从指示从所述多个波长的光的强度值的时间序列数据中去除了噪声的时间序列数据，来获得与光的强度相关的预定值。

3.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，

多个所述处理单元的每个检测器通过使用相同的用于检测的模式来检测所述处理对象膜的厚度。

4.一种晶片的真空处理方法，所述真空处理方法将包括处理对象膜的晶片安装在处理室中的样品台的上表面上，在所述处理室中形成等离子体的同时处理所述晶片，接收来自所述处理对象膜的光，并且检测所述光的强度，所述处理室设置在构成处理单元的真空容器中，所述真空处理方法包括：

通过将真实模式与用于检测的模式进行比较来检测所述处理对象膜的厚度或所述处理的终点的到达的步骤，所述真实模式是在所述晶片的处理期间在任意时间获得的、与来自所述处理对象膜的多个波长的光的强度相关的预定值的真实模式，在所述用于检测的模式中，将预先获得的相对于所述处理对象膜的厚度变化的、与所述多个波长的光的强度相关的预定值的波长用作参数，其中，

通过将所述多个波长的光的强度的时间序列数据的微分系数值除以指示所述多个波长的光的强度值的时间序列数据，来获得与光的强度相关的预定值。

5.根据权利要求4所述的真空处理方法，其中，

通过将去除了噪声的时间序列数据的微分系数值除以从指示从所述多个波长的光的强度值的时间序列数据中去除了噪声的时间序列数据，来获得与光的强度相关的预定值。

6.根据权利要求4所述的真空处理方法，其中，

在多个所述处理单元中的每个处理单元中，使用所述用于检测的模式来检测所述处理对象膜的厚度。