[发明专利]单步封装在审
| 申请号： | 202110689294.3 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113410186A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | K·K·候;J·克拉克;J·麦克劳德 | 申请（专利权）人： | 商升特公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张健;吕传奇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 | ||
1.一种半导体装置，包括：
半导体管芯；
在所述半导体管芯之上形成的柱状凸块；
在所述柱状凸块之上形成的焊料帽；以及
在所述半导体管芯、柱状凸块和焊料帽之上沉积的密封剂，其中所述密封剂的表面与所述焊料帽的表面共面，并且所述密封剂接触所述半导体管芯的与所述柱状凸块相对的背面表面，并且其中所述焊料帽的表面保持从所述半导体装置暴露，以用于后续安装所述半导体装置作为电子装置的一部分。
2.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括通过所述密封剂机械连接到彼此的多个半导体管芯。
3.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：在所述半导体管芯之上形成的第一绝缘层，其中所述柱状凸块延伸到所述第一绝缘层的开口中。
4.如权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：在所述第一绝缘层之上形成的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层的开口与所述第一绝缘层的开口对准。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层包括聚酰亚胺。
6.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：重新分配层，将所述柱状凸块连接到所述半导体管芯。
7.一种半导体装置，包括：
第一半导体管芯；
在所述第一半导体管芯之上形成的柱状凸块；
在所述柱状凸块之上形成的焊料帽；以及
在所述第一半导体管芯、柱状凸块和焊料帽之上沉积的密封剂，其中所述密封剂接触所述第一半导体管芯的有源表面和所述第一半导体管芯的与所述有源表面相对的背面表面。
8.如权利要求7所述的半导体装置，进一步包括：在所述密封剂中设置的第二半导体管芯，其中所述密封剂连续地从所述第一半导体管芯延伸到所述第二半导体管芯。
9.如权利要求8所述的半导体装置，进一步包括：印刷电路板，其中所述焊料帽接合到所述印刷电路板的导电迹线或接触焊盘。
10.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述密封剂的表面与所述焊料帽的表面共面。
11.一种半导体装置，包括：
半导体管芯；
在所述半导体管芯之上形成的柱状凸块；
在所述柱状凸块之上形成的焊料帽；以及
在所述半导体管芯、柱状凸块和焊料帽之上沉积的密封剂。
12.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述密封剂的表面与所述焊料帽的表面共面。
13.如权利要求11所述的半导体装置，进一步包括形成在所述半导体管芯与柱状凸块之间的重新分配层。
14.如权利要求11所述的半导体装置，进一步包括通过所述密封剂机械连接到彼此的多个半导体管芯。
15.如权利要求14所述的半导体装置，进一步包括基板，其中所述多个半导体管芯通过所述焊料帽机械接合到所述基板。
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