[发明专利]三维存储器及检测方法有效
申请号: | 202110689315.1 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113421834B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 王庆;陈金星 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人: | 刘莹;聂国斌 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 检测 方法 | ||
1.一种检测三维存储器的方法,其中,所述三维存储器包括:设置于衬底上的堆叠结构及贯穿所述堆叠结构并延伸至所述衬底内的至少两个沟道结构,其中,每个所述沟道结构包括依次形成的存储膜、沟道层和填充层,其特征在于,所述方法包括:
部分移除所述衬底以暴露所述至少两个沟道结构的存储膜的一部分,以形成至少两个刻蚀区;
向所述至少两个刻蚀区执行第一刻蚀,其中,所述第一刻蚀被配置为能够刻蚀掉所述沟道层与所述第一刻蚀的刻蚀材料接触到的部分,不会刻蚀掉所述存储膜和所述填充层;
在执行第一刻蚀后向所述至少两个刻蚀区执行第二刻蚀,其中,所述第二刻蚀被配置为能够刻蚀掉所述存储膜和所述填充层与所述第二刻蚀的刻蚀材料接触到的部分,不会刻蚀掉所述沟道层;以及
比较执行所述第二刻蚀后的多个所述刻蚀区的形貌差异获得检测结果。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一刻蚀为气相刻蚀,所述气相刻蚀对所述沟道层与所述存储膜和所述填充层的刻蚀选择比范围为300-800:1;所述第二刻蚀对所述沟道层与所述存储膜和所述填充层的刻蚀选择比范围为1:300-800。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,执行所述第一刻蚀的步骤包括:
响应于所述沟道结构的底表面具有贯穿所述存储膜和所述沟道层的孔隙,所述气相刻蚀的刻蚀材料经由所述孔隙在对应的刻蚀区中刻蚀掉所述沟道层靠近所述沟道结构的底表面的部分。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,执行所述第二刻蚀的步骤包括:
响应于所述第一刻蚀刻蚀掉部分所述沟道层,通过所述第二刻蚀在所述刻蚀区中刻蚀掉所述存储膜和所述填充层靠近所述沟道结构的底表面的部分。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述沟道层被刻蚀的第一长度为1nm-100nm。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述存储膜和所述填充层被刻蚀的第二长度为1nm-100nm。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一长度等于所述第二长度。
8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,执行所述第二刻蚀的步骤包括:
响应于所述第一刻蚀未对所述沟道层进行刻蚀,通过所述第二刻蚀在对应的刻蚀区中刻蚀掉所述存储膜靠近所述沟道结构的底表面的部分。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述存储膜被刻蚀的第三长度为1nm-100nm。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述至少两个刻蚀区的步骤包括:
通过湿法刻蚀、干法刻蚀或气相刻蚀中的一种方式部分移除所述衬底以暴露至少两个沟道结构的存储膜,以形成所述至少两个刻蚀区。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,比较执行所述第二刻蚀后的多个所述刻蚀区的形貌差异获得检测结果包括:
向多个所述刻蚀区照射检测光信号;
接收所述至少两个刻蚀区反射所述检测光信号得到的反射光信号;以及
根据所述反射光信号得到所述至少两个刻蚀区的形貌图像;
比较至少两个刻蚀区的形貌图像差异获得所述检测结果。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法,用于检测3D NAN D存储器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造