[发明专利]原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202110689450.6 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113433110B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 董军;吴飞飞;高伟;韩庆艳;王勇凯;杨程元;祁建霞 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 许攀 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原位 置换 生成 金银 枝晶花状 纳米 结构 衬底 制备 方法 | ||
1.一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除所述预设衬底表面的氧化层，所述预设衬底为铝箔；
将所述预设衬底放置在硝酸银溶液中，反应第一预设时间，得到银枝晶纳米结构，所述硝酸银溶液的浓度为0.01mol/L；
在暗室条件下，将所述预设衬底放置在氯金酸溶液中，反应第二预设时间，得到金银枝晶花状纳米结构，所述氯金酸溶液的浓度为0.001mol/L；
将预设探针分子沉积在所述金银枝晶花状纳米结构的表面；
其中，所述将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除所述预设衬底表面的氧化层的步骤之前还包括：
将所述预设衬底裁剪为预设尺寸；
使用丙酮溶液、乙醇和去离子水清洗所述预设衬底；
将所述预设衬底放置在电解槽的阳极，在所述电解槽中注入预设抛光溶液，在冰浴条件下将所述预设衬底抛光；
将抛光后的所述预设衬底进行氧化；
所述将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除所述预设衬底表面的氧化层的步骤包括：
将氧化的所述预设衬底进行第二次裁剪；
将所述预设衬底放置在体积比为1/10的稀盐酸溶液中，反应第三预设时间，去除所述预设衬底表面的氧化层；
使用去离子水清洗所述预设衬底的表面。
2.根据权利要求1所述的原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述第一预设时间为60分钟-120分钟，所述第二预设时间为20分钟-60分钟。
3.根据权利要求2所述的原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述将所述预设衬底放置在硝酸银溶液中，反应第一预设时间，得到银枝晶纳米结构的步骤之前包括：将0.085g的AgNO3晶体溶解在50ml去离子水配置0.01mol/L的硝酸银溶液。
4.根据权利要求3所述的原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述在暗室条件下，将所述预设衬底放置在氯金酸溶液中，反应第二预设时间，得到金银枝晶花状纳米结构的步骤之前包括：将0.034g的HAuCl4·4H2O晶体溶解在100ml去离子水中，配置得到0.001mol/L的氯金酸溶液。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述预设探针分子为罗丹明和结晶紫中任意一种。
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