[发明专利]MZ型光强度调制器总成及制备方法

说明书

本发明提供一种MZ型光强度调制器总成及制备方法，MZ型光强度调制器总成包括：MZ型光强度调制器，由芯片以及固定于芯片上的波导组件和多个偏置电极构成；交换波导，设置于波导组件的输出直波导的至少一侧，且内嵌于芯片表面；光栅组件，与交换波导一一对应，且与交换波导背向芯片的一侧表面固定连接；光电探测器，与一个光栅组件固定连接；控制器，其输入端与光电探测器的输出端通信连接，以接收光电探测器输出的电流数据，控制器的输出端与偏置电极的被控端通信连接，以根据电流数据的变化控制调整偏置电极的偏置电压。本发明通过监测泄露光转化的电流控制调整偏置电压，对工作光没有任何影响，减小了光路损耗。

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种MZ型光强度调制器总成及制备方法。

背景技术

MZ型光强度调制器是光纤通信、光纤传感中的重要器件，图1为MZ型光强度调制器的示意图，如图1所示，MZ型光强度调制器包括芯片1以及固定于芯片1表面的波导组件2，其中波导组件2包括输入直波导21、分别与输入直波导21的输出端以相同夹角连接并相对设置的第一分束波导22和第二分束波导23、与第一分束波导22输出端连接的第一直波导24、与第二分束波导23输出端连接的第二直波导25、与第一直波导24输出端连接的第一合束波导26、与第二直波导25输出端连接的第二合束波导27，以及与第一合束波导26及第二合束波导27输出端的合束点连接的输出直波导28，并在第一直波导24与第二直波导25的两侧分别设置偏置电极3，对第一直波导24与第二直波导25两侧的偏置电极3分别施加不同的偏置电压时，会使波导的折射率产生变化，最终导致输出光功率的变化。

实际应用中，因为一些内界或外界因素，例如晶体缺陷、杂质、温度变化等会对调制相位的稳定性产生比较大的影响，从而使MZ型光强度调制器的偏置工作点发生缓慢漂移，也即MZ型光强度调制器的输出光功率会发生变化，导致调制线性度降低或者误码率升高，影响整体系统性能。为了提高MZ型光强度调制器工作的稳定性，需要根据输出光功率的变化实时调整偏置电压，现有技术中，分流一部分输出光功率，使其进入光电探测器，将光能转化为电流后输出至偏置反馈控制电路，根据电流与输出光功率以及偏置电压之间的对应关系，获取新的偏置电压，使其作用于波导组件，保证MZ型光强度调制器工作在所需的工作点，现有技术中通过分流输出光功率进行反馈调节，增加了输出光功率的损耗。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种MZ型光强度调制器总成及制备方法，在MZ型光强度调制器的输出直波导的一侧内嵌交换波导，在交换波导上设置光栅组件，并在光栅组件上设置光电探测器，耦合在芯片表面及内部传播的泄露光，将泄露光转化为电流，根据泄露光转化的电流与输出光功率以及偏置电压之间的对应关系，调节偏置电压，以克服现有技术的缺陷。

本发明提供的MZ型光强度调制器总成包括MZ型光强度调制器，所述MZ型光强度调制器包括芯片以及固定于所述芯片上的波导组件和多个偏置电极，所述MZ型光强度调制器总成还包括：交换波导，所述交换波导设置于所述波导组件的输出直波导的至少一侧，且内嵌于所述芯片表面；光栅组件，所述光栅组件与所述交换波导一一对应，且与所述交换波导背向所述芯片的一侧表面固定连接；光电探测器，所述光电探测器与一个所述光栅组件固定连接；控制器，所述控制器的输入端与所述光电探测器的输出端通信连接，以接收所述光电探测器输出的电流数据，所述控制器的输出端与所述偏置电极的被控端通信连接，以根据所述电流数据的变化控制调整所述偏置电极的偏置电压。

可选地，所述MZ型光强度调制器总成还包括封装盒，所述MZ型光强度调制器、所述交换波导、所述光栅组件与所述光电探测器均设置于所述封装盒内。

可选地，所述MZ型光强度调制器总成还包括引针，所述引针贯穿所述封装盒，所述引针的相对两端分别与所述光电探测器的输出端以及所述控制器的输入端通信连接。

可选地，所述交换波导在背向所述芯片的一侧表面通过刻蚀获取所述光栅组件。

可选地，所述光栅组件背向所述交换波导的一侧设置有胶粘层。