[发明专利]电压转换隔离结构

权利要求书

1.一种电压转换隔离结构，其特征在于，所述电压转换隔离结构包括基底层，所述基底层包括用于连接芯片的低电压区的低压连接部、用于连接所述芯片的高电压区的高压连接部，和漂移区，所述漂移区相对的两侧分别连接所述低压连接部和所述高压连接部；

所述基底层中形成有第一导电类型半导体环，所述第一导电类型半导体环包括：

第一导电类型环低压部，所述第一导电类型环低压部形成于所述低压连接部位置处的基底层中；

第一导电类型环高压部，所述第一导电类型环高压部形成于所述高压连接部位置处的基底层中；

第一导电类型环体部，所述第一导电类型环体部的两端分别与所述第一导电类型环低压部，和第一导电类型环高压部相连，形成封闭区域；所述漂移区和所述高压连接部位于所述封闭区域中；

在靠近所述第一导电类型环高压部的所述高压连接部中，和所述高电压区中，分别形成第二导电类型半导体A区和第二导电类型半导体B区。

2.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第一导电类型环体部与所述第一导电类型环高压部相连位置处形成交界区；

所述第二导电类型半导体A区对应所述交界区位置处形成A区端头；靠近所述交界区一侧的A区端头边缘，与靠近所述A区端头一侧的交界区边缘，形状一致；

所述第二导电类型半导体B区对应所述交界区位置处形成B区端头；靠近所述交界区一侧的B区端头边缘，与靠近所述B区端头一侧的交界区边缘，形状一致。

3.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第二导电类型半导体A区和所述第二导电类型半导体B区，分别用于使得所述第一导电类型环高压部由对应的两侧面向内被逐渐加速耗尽形成耗尽区；

所述第二导电类型半导体A区和所述第二导电类型半导体B区，使得在耗尽区电场达到击穿，所述第一导电类型环高压部完全耗尽。

4.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述基底层包括第一导电类型底层，和形成于所述第一导电类型底层上的第二导电类型外延层；

所述第一导电类型半导体环的第一导电类型环低压部、第一导电类型环高压部和第一导电类型环体部均包括：

第一导电类型阱层，所述第一导电类型阱层位于所述第二导电类型外延层中，从所述第二导电类型外延层的上表面向下延伸；

第一导电类型埋层，所述第一导电类型埋层的下部位于所述第一导电类型底层中，上部位于所述第二导电类型外延层中；

第一导电类型连接层，所述第一导电类型连接层位于所述第二导电类型外延层中，所述第一导电类型连接层的上端与所述第一导电类型阱层的下端相连，所述第一导电类型连接层的下端与所述第一导电类型埋层的上端相连。

5.如权利要求4所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第二导电类型半导体A区的下部位于所述第一导电类型底层中，上部位于所述第二导电类型外延层中；

所述第二导电类型半导体B区的下部位于所述第一导电类型底层中，上部位于所述第二导电类型外延层中。

6.如权利要求4或5所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第一导电类型底层接地。

7.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述电压转换隔离结构还包括MOS管；

所述MOS管的源极，位于所述第一导电类型环低压部中，从所述第一导电类型环低压部的上表面向下延伸；

所述MOS管的漏极，位于所述高压连接部中，从所述高压连接部位置处的基底层上表面向下延伸。

8.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第一导电类型环高压部的宽度在所述第一导电类型环高压部各处一致。

9.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第一导电类型环体部的宽度在所述第一导电类型环体部各处一致，且所述第一导电类型环体部的宽度与所述第一导电类型环高压部的宽度一致。