[发明专利]存储器件的制作方法

权利要求书

1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

在栅氧层上形成控制栅多晶硅层，所述栅氧层形成于衬底上，所述衬底的有源区的周侧形成有环绕的STI结构；

在所述控制栅多晶硅层上形成ONO；

在所述ONO上形成浮栅多晶硅层；

通过光刻工艺进行刻蚀，去除目标区域的控制栅多晶硅层、ONO和浮栅多晶硅层，剩余的控制栅多晶硅层形成所述存储器件的控制栅，剩余的浮栅多晶硅层形成所述存储器件的浮栅；

进行各向同性的回刻蚀，去除所述STI结构侧面的氮氧化硅残留，所述回刻蚀过程中的偏压功率的取值范围为0瓦至5瓦，所述回刻蚀过程中通入的反应气体包括氧气、氦气、氢溴酸、四氟化碳和六氟化硫；

其中，所述进行回刻蚀，包括：

在第一阶段，通入氧气、氦气、氢溴酸、四氟化碳和六氟化硫，在低于150毫托的气压下进行刻蚀；

在第二阶段，通入氧气和氦气，在低于30毫托的气压下进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一阶段，所述氢溴酸的气体流速的取值范围为50SCCM至100SCCM。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一阶段，所述四氟化碳的气体流速的取值范围为20SCCM至70SCCM。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一阶段，所述六氟化硫的气体流速的取值范围为10SCCM至50SCCM。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在所述控制栅多晶硅层上形成ONO，包括：

在所述控制栅多晶硅上通过CVD工艺沉积硅氧化物形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上通过CVD工艺沉积硅氮化物形成氮化层；

在所述氮化层上通过CVD工艺沉积硅氧化物形成第二氧化层。