[发明专利]一种纳米铜晶体生长实验模拟装置及方法

权利要求书

1.一种纳米铜晶体生长实验模拟方法，其特征在于，采用一种纳米铜晶体生长实验模拟装置实现，一种纳米铜晶体生长实验模拟装置包括空气压缩机、加液容器、增压器以及多个反应器，多个所述反应器串联布置，所述空气压缩机与所述加液容器连接，所述加液容器通过加液管路与多个串联反应器位于首端的反应器连接，多个串联的反应器的入口管路上分别设有第一压力阀和压力表；所述增压器分别通过增压管路与多个串联的反应器的入口管路连接，所述增压管路上设有第二压力阀；多个串联的反应器的出口管路上分别连接有第三压力阀；多个串联的反应器的出口管路上分别连接有出口支路，所述出口支路与冷凝罐连接，所述出口支路上连接有第四压力阀；所述加液管路上设有第五压力阀，所述空气压缩机与所述加液容器之间的管路上设有第六压力阀；

一种纳米铜晶体生长实验模拟方法包括以下步骤：

S1，加液容器盛放配置好的初始溶液，并在空气压缩机提供的压力作用下，向多个串联布置的反应器中位于首端的一级反应器注入初始溶液；

S2，通过各个串联布置的反应器各自对应的压力表监测待实验的反应器的压力，待实验的反应器压力达到实验要求压力后进行实验；位于首端的一级反应器压力达到实验要求压力后进行反应得到一级反应溶液，一级反应溶液导入与位于首端的一级反应器串联的其他级反应器中进行反应；各个串联的反应器中，待实验的反应器的压力小于上一个串联反应器的压力。

2.根据权利要求1所述一种纳米铜晶体生长实验模拟方法，其特征在于，所述增压器提供的最大压力不大于50Mpa。

3.根据权利要求1所述一种纳米铜晶体生长实验模拟方法，其特征在于，所述反应器上连接有加热装置，所述加热装置加热的温度不大于500℃。

4.根据权利要求1所述一种纳米铜晶体生长实验模拟方法，其特征在于，三个反应器串联布置。

5.根据权利要求1所述一种纳米铜晶体生长实验模拟方法，其特征在于，S2中，通过各个串联布置的反应器各自对应的压力表监测待实验的反应器的压力，若待实验的反应器压力未达到实验要求压力，通过增压器给待实验的反应器加压，待实验的反应器压力达到实验要求压力后，关闭待实验的反应器入口管路的第一压力阀以及增压管路上的第二压力阀。

6.根据权利要求1所述一种纳米铜晶体生长实验模拟方法，其特征在于，S2中，通过加热装置加热待实验的反应器，待达到反应器的设定温度后，观察待实验的反应器入口管路的压力表显示的压力是否达到实验要求压力。