[发明专利]一种具有QDCF结构的微型LED显示屏及其制备方法在审
申请号: | 202110691036.9 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113410261A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 林俊荣;王宏;吕河江 | 申请(专利权)人: | 乙力国际股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50 |
代理公司: | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人: | 钟华;任永利 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 qdcf 结构 微型 led 显示屏 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种具有QDCF结构的微型LED显示屏及其制备方法,QDCF结构为量子点彩色滤光片结构,具有QDCF结构的微型LED显示屏包括微型LED发光二极管显示基板(1)和位于微型LED发光二极管显示基板(1)发光一侧的QDCF结构(2),微型LED发光二极管显示基板(1)和QDCF结构(2)之间还具有平坦层(3)和阻水层(4);微型LED发光二极管显示基板(1)中含有LED芯片(11);QDCF结构(2)包括黑色BM格栅(21)、黑色BM格栅(21)之间的QDCF量子点层(22)、以及远离平坦层(4)一侧的玻璃层(23)。本发明直接在微型LED发光二极管显示基板(1)上制作QDCF结构,由于QDCF结构直接制作在Micro LED显示基板上,从而减少了贴合过程中设备对位精度的要求。
技术领域
本发明专利属于微型LED显示屏技术领域,具体涉及一种具有QDCF结构的微型LED显示屏及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的进步和发展,显示屏幕具备了分辨率更高,更小,更精密的特点,这就要求业内对传统生产制造工艺进行彻底的从根本上上改变。Micro LED(微型LED)显示器具有分辨率高、亮度高、功耗低、色彩饱和度高、寿命长等优点。可以适应各种尺寸无缝拼接等优势。就目前而言,具有下代显示技术的潜力。
Micro LED在芯片尺寸和Mini ILED可比的情况下,亮度、对比度和可靠性等方面显示了巨大的优势。micro LED把芯片尺寸缩减至20μm以下,由于Micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与Mini LED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
LED传统贴合是预先在玻璃基板基板上制作QDCF(量子点彩色滤光片),然后再贴附在LED阵列上,这种方式是现在玻璃基片上制作栅格,采用喷墨打印的方式将QDC制作在格栅里,这种发发对于较大颗粒的普通LED尚可,但是对于Micro LED要求有更高的贴附工艺及更加精确地对位要求,显然传统的工艺设备难以满足,需要花费更大的人力、物力及财力去研究开发新的贴附工艺及设备。另外,分别制备出Micro LED发光二极管显示基板和QDCF后,将两者贴合也存在很大的困难,由于Micro LED芯片尺寸更小,分辨率更高,很小的一块MicroLED显示屏中就含有大量的LED芯片,比如一块0.39寸左右的Micro LED显示屏,其中含有的LED芯片大概有240万颗,而QDCF上又具有与LED芯片数量匹配的红、蓝、绿三原色量子点,数量又大,各量子点之间间距又小,这就使得将传统QDCF与MicroLED发光二极管显示基板贴和对位时很难实现精准对位,另外为了实现精准对位,需要对位精度在0.01um-2um的贴合机,贴合机价格昂贵,使用成本提高。
综上所述,Micro LED急切需要更简单更有效的工艺方法解决QDCF制备及贴合的问题。
为了解决以上问题,提出本发明。
发明内容
本发明具有以下目的:1.为了解决QDCF与Micro LED发光二极管显示基板分别制备的问题;2.为了解决传统QDCF与MicroLED发光二极管显示基板贴和对位问题要求精度高,不能准确贴合的问题。基于上述目的,本发明提供了一种彩色QDCF制备方法,用于解决Micro LED与QDCF贴合需要高精度对位,对设备精度要求高的问题。
本发明第一方面提供一种具有QDCF结构的微型LED显示屏,所述QDCF结构为量子点彩色滤光片结构,具有QDCF结构的微型LED显示屏包括微型LED发光二极管显示基板1和位于所述微型LED发光二极管显示基板1发光一侧的QDCF结构2,
所述微型LED发光二极管显示基板1和所述QDCF结构2之间还具有平坦层3和阻水层4;所述平坦层3靠近所述微型LED发光二极管显示基板1一侧,所述阻水层4靠近所述QDCF结构2一侧;
所述微型LED发光二极管显示基板1中含有LED芯片11;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的