[发明专利]考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型及构建方法

权利要求书

1.一种考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型，其特征在于，该三孔隙度模型，为：

式中，m_θ表示当裂缝倾角θ时的缝洞型储层的孔隙度指数；m_h表示沿着裂缝方向的缝洞型储层的孔隙度指数；m_v表示垂直裂缝方向的缝洞型储层的孔隙度指数；Φ表示缝洞型储层的总孔隙度；Φ_f表示缝洞型储层的裂缝孔隙度；Φ_v表示缝洞型储层的溶洞孔隙度；Φ'_b表示附属于基质孔隙体系的基质孔隙度；m_b表示储层基质的孔隙度指数。

2.根据权利要求1所述的考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型，其特征在于，所述Φ'_b用缝洞型储层的基质孔隙度转换得到，为：

式中，Φ_b表示附属于缝洞型储层的基质孔隙度。

3.如权利要求1或2所述的考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型的构建方法，其特征在于，该方法包含：

(1)利用Maxwell-Garnett混合规则获得溶洞型储层的电阻率，为：

式(5)中，R_bv表示溶洞型储层电阻率；R_o表示饱和地层水时的基质电阻率；R_w表示地层水电阻率；

根据阿尔奇公式，R_o表示为：

式(10)中，Φ'_b表示附属于基质孔隙体系的基质孔隙度；m_b表示储层基质的孔隙度指数；

(2)依据在缝洞型储层中任意裂缝倾角下的电导率以及电阻率与电导率互为倒数的关系，获得任意裂缝倾角的缝洞型储层电阻率，为：

式(7)中，R_θ表示裂缝倾角为θ时的缝洞型储层电阻率；R_h表示沿着裂缝方向的缝洞型储层电阻率；R_v表示垂直于裂缝方向的缝洞型储层电阻率；

通过欧姆定律可知，沿着裂缝方向的储层电阻率σ_h为裂缝电导率与溶洞储层电导率的串联，在地层条件下，裂缝充填地层水，地层水电阻率为R_w，电导率电阻率互为倒数，则R_h表示为：

垂直于裂缝方向的储层电阻率σ_v为裂缝电导率与溶洞储层电导率的并联，转换为电阻率，则R_v表示为：

并且，与分别具有如下关系：

式(12)中，Φ表示缝洞型储层的总孔隙度；m_θ表示当裂缝倾角θ时的缝洞型储层的孔隙度指数；m_h表示沿着裂缝方向的缝洞型储层的孔隙度指数；m_v表示垂直裂缝方向的缝洞型储层的孔隙度指数；

(3)基于缝洞型储层电阻率与地层水电阻率和缝洞型储层的总孔隙度的关系以及任意倾角的缝洞型储层电阻率、溶洞型储层的电阻率，构建如权利要求1或2所述的考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型：

将式(12)带入式(7)，得到：

两端取对数，得到：

将式(5)、(12)带入式(8)、(9)，并消去R_w，联立得到；