[发明专利]一种显示面板制程方法及显示面板

说明书

本申请公开了一种显示面板制程方法及显示面板。所述显示面板制程方法中，在光刻时增加了一层辅助层。一方面，辅助层相对于光阻层更便于剥离，并且剥离辅助层能够直接带离显影后残留的光阻层。这样能够避免光阻层残留，进而避免了残留的光阻层影响设备性能的问题。另一方面，由于光刻时设置了辅助层，在设置后续的光阻层时，光阻层无需直接接触下方发光层。因此，所述显示面板制程方法能够防止光刻和剥离时对发光层造成影响，也能避免发光层上形成陷阱位点，进而避免发光层发生猝灭。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板制程方法及显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有自发光、高对比度、低耗电等优点。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)具有寿命长、自发光、色域广等优点，因此它们被视为下一代平板显示技术。目前，OLED和QLED显示技术已经被广泛应用在手机等小尺寸的移动设备上。

喷墨打印和光刻技术分别都可以实现全色QLED高分辨率和商业化有效途径。为了实现全彩QLED/OLED器件，目前有两种主要的光刻方法来对发光层进行图案化。一种是化学修饰配体量子点(Quantum Dot,QD)或在QD中添加光敏添加剂以制成QD光敏层和可光图案化的层。这种方法易导致不需要的QD残留物难以在开发过程中完全去除，进而出现颜色杂质。另一种方法是利用光阻(photoresist,PR)和传统的光刻技术来定义子像素用于QD沉积。在这种方法中，多余QD沉积在PR的顶部，将在提离过程中随PR移除。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，光刻的方法避免了颜色杂质问题，但可能导致其他问题。首先，常规使用的光刻化学品和剥离工艺可能会污染、溶解或损坏预先存在的QD，导致陷阱位点的形成。化学品和剥离工艺可能导致OLED中发光层发光强度变大，使OLED的发光猝灭。其次，在PR剥离过程中，PR可能无法完全去除，PR残留物会影响设备性能。

发明内容

本申请提供一种显示面板制程方法及显示面板，可以避免光阻残留影响显示面板的性能。

本申请提供一种显示面板制程方法，包括：

在第一电极层上制作辅助层；

在所述辅助层远离所述第一电极层的一侧制作光阻层；

对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理，以形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述辅助层和所述光阻层；

在所述第一通孔内制作第一发光层；

去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层。

可选的，在本申请的一些实施例中，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层之后，还包括：

重复制作所述辅助层、制作所述光阻层、对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理以及制作所述第一发光层的步骤，在所述第一电极层上形成至少两种发光颜色的图案化的发光层，不同颜色的所述发光层相邻设置且分别间隔设置于所述第一电极层上。

可选的，在本申请的一些实施例中，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层之后，还包括：

重复制作所述辅助层、制作所述光阻层、对所述辅助层和所述光阻层进行图案化处理以及制作所述第一发光层的步骤，在所述第一电极层上形成三种发光颜色的图案化的发光层。

可选的，在本申请的一些实施例中，在去除所述辅助层与所述光阻层，以在所述第一电极层上形成图案化的所述第一发光层的步骤之后，还包括：

在图案化的所述第一发光层上制作辅助层；