[发明专利]阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述基板的一侧，所述平坦化层包括第一开孔；

连接层，所述连接层包括连接部，所述连接部设置在所述第一开孔内并延伸至所述平坦化层的表面；

阳极层，所述阳极层设置在所述连接部远离所述平坦化层的一侧；

连接层由钼、钛、钛的合金中的一种或多种形成；

连接部包括第一子连接部和第二子连接部；第一子连接部和第二子连接部之间具有间隙；第一子连接部覆盖第一开孔，第二子连接部设置在平坦化层的表面；阳极层覆盖第一子连接部、第二子连接部以及位于间隙处的平坦化层；第一子连接部和第二子连接部通过阳极层连接，用于阻挡平坦化层中的硫元素扩散至阳极层中与银或银的合金反应形成黑色的银的硫化物。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次层叠设置的第一金属层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、第二金属层以及钝化层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层包括源极、漏极和第一绑定部，所述源极与所述连接部连接，所述第一绑定部与所述第一金属层连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层还包括第二开孔，所述连接层还包括第二绑定部，所述第二绑定部设置在所述第二开孔内，所述第二绑定部与所述第一绑定部连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素定义层，所述像素定义层包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述阳极层，所述第二开口与所述第二开孔对应设置，所述第二开口暴露出所述第二绑定部。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括第一极板，所述第一极板与所述第一金属层连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌，所述第二子层的材料为银或者银的合金，所述第三子层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述阳极层与所述平坦化层之间的所述连接部的厚度为30纳米至300纳米。