[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：

发光层，其包含由AlGaN形成的阱层，发出紫外光；

电子阻挡层，其位于上述发光层上，由具有比上述阱层的Al组成比大的第一Al组成比的AlGaN形成；以及

p型包覆层，其位于上述电子阻挡层上，由具有比上述阱层的上述Al组成比大且比上述第一Al组成比小的第二Al组成比的AlGaN形成，并掺杂有具有规定浓度的p型掺杂剂，

在上述电子阻挡层与上述p型包覆层的界面，掺杂有预定量以上的n型掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

上述p型包覆层包含上述n型掺杂剂从上述电子阻挡层侧的顶端朝向规定位置扩散而成的扩散区域。

3.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其中，

上述扩散区域所包含的上述n型掺杂剂的浓度为上述p型掺杂剂的浓度的1/2以下。

4.根据权利要求2或3所述的氮化物半导体发光元件，其中，

上述扩散区域所包含的上述n型掺杂剂的浓度为上述p型掺杂剂的浓度的1/80以上1/4以下。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

上述p型包覆层的上述p型掺杂剂的浓度为1.0×10¹⁸atoms·cm^-3以上1.0×10²⁰atoms·cm^-3以下。

6.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其中，

在上述扩散区域中，存在上述氮化物半导体发光元件的厚度方向上的上述n型掺杂剂的浓度的分布的极大值。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体发光元件，其中，

上述n型掺杂剂的上述极大值为4.0×10¹⁸atoms·cm^-3以上1.0×10²⁰atoms·cm^-3以下。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

上述电子阻挡层与上述p型包覆层的界面中的p型掺杂剂的浓度为1.0×10¹⁸atoms·cm^-3以上1.0×10²⁰atoms·cm^-3以下。

9.根据权利要求8所述的氮化物半导体发光元件，其中，

在上述界面中，存在上述氮化物半导体发光元件的厚度方向上的上述p型掺杂剂的浓度的分布的极大值。

10.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成发光层的工序，上述发光层包含由AlGaN形成的阱层，发出紫外光；

在上述发光层上形成电子阻挡层的工序，上述电子阻挡层由具有比上述阱层的Al组成比大的第一Al组成比的AlGaN形成；

对上述电子阻挡层的上表面间歇地供应n型掺杂剂和p型掺杂剂的工序；以及

在上述电子阻挡层上形成p型包覆层的工序，上述p型包覆层由具有比上述阱层的Al组成比大且比上述第一Al组成比小的第二Al组成比的AlGaN形成，并掺杂有具有规定浓度的p型掺杂剂。