[发明专利]电容器的制造方法

权利要求书

1.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成下电极、第一电容介质层及上电极，所述第一电容介质层包括底层部分、中间部分及顶层部分，

其中，所述第一电容介质层的形成过程包括：

将所述衬底置于一腔体内可旋转的承载台上，以第一旋转速度在所述下电极上形成所述底层部分至第一厚度，以第二旋转速度在所述底层部分上形成所述中间部分至第二厚度，以第三旋转速度在所述中间部分上形成所述顶层部分至第三厚度，所述第一旋转速度、所述第二旋转速度及所述第三旋转速度均不同，以使所述底层部分、所述中间部分及所述顶层部分的致密度和阶梯覆盖能力不同。

2.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第一旋转速度、所述第二旋转速度及所述第三旋转速度依次增加。

3.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第一厚度、所述第二厚度及所述第三厚度不相同。

4.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，还包括以第四旋转速度在所述第一电容介质层上形成第二电容介质层，及以第五旋转速度在所述第二电容介质层上形成第三电容介质层。

5.根据权利要求4所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第一旋转速度、所述第二旋转速度、所述第三旋转速度及所述第五旋转速度均小于所述第四旋转速度，所述第五旋转速度与所述第二旋转速度相同或不同。

6.根据权利要求4所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第一电容介质层的材料和所述第三电容介质层的材料相同，所述第二电容介质层的材料不同于所述第一电容介质层的材料和所述第三电容介质层的材料。

7.根据权利要求6所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第二电容介质层的材料为氧化铝，所述第一电容介质层和所述第三电容介质层的材料均为氧化锆。

8.根据权利要求7所述的电容器的制造方法，其特征在于，采用原子层沉积的方法依次形成所述第一电容介质层的底层部分、中间部分及顶层部分。

9.根据权利要求8所述的电容器的制造方法，其特征在于，通过重复单元沉积循环来实施所述第一电容介质层的各部分的原子层沉积过程，所述单元沉积循环包括引入锆源、引入第一清洗气体、引入反应气体及引入第二清洗气体。

10.根据权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述反应气体为O₃，所述第一清洗气体和所述第二清洗气体均为N₂或Ar。

11.根据权利要求10所述的电容器的制造方法，其特征在于，还包括：所述第一旋转速度调整至所述第二旋转速度之前，对所述第一电容介质层的底层部分进行第一次O₃处理。

12.根据权利要求11所述的电容器的制造方法，其特征在于，还包括：所述第二旋转速度调整至所述第三旋转速度之前，对所述第一电容介质层的中间部分进行第二次O₃处理。

13.根据权利要求12所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第二次O₃处理过程中O₃的浓度大于或等于所述第一次O₃处理过程中O₃的浓度。

14.根据权利要求13所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第一次O₃处理过程中O₃的浓度大于所述反应气体的浓度。