[发明专利]固态成像装置及电子装置

权利要求书

1.一种固态图像感测装置，包括：

光电转换单元；

电荷保持单元，用于保持从所述光电转换单元转移的电荷；

第一转移晶体管，用于将来自所述光电转换单元的电荷转移到所述电荷保持单元；和

遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，

其中所述第一遮光部布置在与作为所述光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和所述电荷保持单元之间并覆盖所述第二表面，且形成有第一开口，以及

所述第二遮光部包围所述光电转换单元的侧表面。

2.根据权利要求1所述的固态图像感测装置，

其中所述第一遮光部的横截面从与所述第二遮光部的连接部向所述第一开口逐渐收缩。

3.根据权利要求1所述的固态图像感测装置，还包括：

第三遮光部，用于在从形成所述第一转移晶体管的装置形成表面远离所述第一遮光部的位置处至少覆盖所述电荷保持单元的、与所述第一遮光部对置的表面相对的表面。

4.根据权利要求1所述的固态图像感测装置，

其中所述第一转移晶体管的栅极电极包括平行于所述第一遮光部的第一电极部和垂直于所述第一遮光部并从更靠近所述电荷保持单元的所述第一遮光部经由所述第一开口向所述光电转换单元延伸的第二电极部。

5.根据权利要求4所述的固态图像感测装置，还包括：

第四遮光部，该第四遮光部连接到所述第一遮光部并至少部分地布置成更靠近所述电荷保持单元而不是更靠近所述第一遮光部且平行于所述第二表面布置在与所述第二遮光部不同的位置处。

6.根据权利要求4所述的固态图像感测装置，

其中所述光电转换单元形成在第一半导体基板上，

所述电荷保持单元形成在第二半导体基板上，

所述第一转移晶体管形成在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之上，以及

所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间的接合界面形成在所述第一转移晶体管的沟道中。

7.根据权利要求6所述的固态图像感测装置，

其中所述接合界面形成为更靠近所述转移晶体管的漏极端而不是更靠近所述转移晶体管的源极端。

8.根据权利要求6所述的固态图像感测装置，

其中所述第二遮光部由所述光电转换单元的第二表面形成，

所述装置还包括：

由所述光电转换单元的第一表面形成并连接到所述第二遮光部的第五遮光部。

9.根据权利要求1所述的固态图像感测装置，

其中所述光电转换单元、所述电荷保持单元和所述第一转移晶体管由单晶硅制成。

10.一种电子装置，包括根据权利要求1-9中任一项所述的固态图像感测装置。