[发明专利]一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的检测系统

说明书

本发明公开了一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管的检测系统，基于控制模块建立所述晶体管各个组成部分从上至下的第一传热网络模型；建立所述晶体管内各组成部分从下至上的第二传热网络模型；将所述第一传热网络模型与所述第二传热网络模型进行比较，得到比较值，在确定所述比较值等于0时，表示所述第一传热网络模型与所述第二传热网络模型均构建正确；反之，还需对所述第一传热网络模型和/或所述第二传热网络模型进行模型修正；在确定所述第一传热网络模型与所述第二传热网络模型均构建正确时，计算晶体管内各组成部分的温度信息控制显示模块显示出来。实现对晶体管的准确检测。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的检测系统。

背景技术

目前，随着模拟电路技术及数字电路技术的不断发展，金属-氧化物半导体场效应晶体管作为其中不可或缺的一部分也越来越受到人们的关注。根据第一个现有的高压-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其漂移区位于具有相同导电类型的半导体衬底；栅极、源极和漏极位于具有的相反导电类型的外延膜中。高压MOSFET的源极区域位于与外延膜相同的导电类型的区域中。在与外延膜具有相同导电类型的区域下方，存在具有相同导电类型的埋层。根据第二个现有的高压-金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管的栅极，源极和漏极区域位于与半导体衬底导电性相反类型的漂移区中。源极区域位于与衬底具有相同导电类型的高压MOSFET中。

现有技术中存在以下问题：1、掺杂埋层和外延膜的存在使制造高压晶体管的工艺过程复杂化；2、由于重掺杂埋层附近的高电场强度，使得晶体管漏源极之间的击穿电压降低；3、第二个现有的晶体管的衬底具有相同类型导电性的区域与衬底短路，这将限制晶体管的源极电压不得高于衬底的电压，因为与晶体管的衬底具有相同导电性的区域与衬底之间的击穿电压为零。同时现有技术中不能实现对晶体管的准确检测。

发明内容

本发明旨在至少一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提出一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的检测系统。

为达到上述目的，本发明实施例提出了一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的检测系统，晶体管包括：第一局部氧化物、第二局部氧化物、多晶硅总线区、第一栅极氧化物、第二栅极氧化物、基极、源极、多晶硅栅极、漂移区域、P-衬底及漏极；其中，

所述P-衬底作为第二导电类型，设置在最底部；

所述漂移区域作为第一导电类型，设置在所述P-衬底中；

所述基极作为第二导电类型，设置在距离所述漂移区域的左端的L处且与所述漂移区域重叠；

所述源极作为第一导电类型，设置在所述基极内；

在所述漂移区域上设置第一局部氧化物及第二局部氧化物；

在所述基极上方的两侧设置第一栅极氧化物与第二栅极氧化物，所述第一栅极氧化物上方设置所述多晶硅总线区；所述第二栅极氧化物上方设置所述多晶硅栅极；

所述第一局部氧化物与所述多晶硅总线区部分接触；

所述第二局部氧化物与所述多晶硅栅极部分接触；

在所述第二局部氧化物的右侧设置所述漏极，所述漏极作为第一导电类型，设置在所述漂移区域内；

检测系统包括：

控制模块，用于：

建立所述晶体管内各组成部分从上至下的第一传热网络模型；

其中，W(s)为第一传热网络模型；r_i为从上至下的第i个组成部分的热阻；t_i为从上至下的第i个组成部分的传热时间；s为晶体管内各组成部分的材料系数；N为晶体管内组成部分的总个数。