[发明专利]一种改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法在审
| 申请号： | 202110696255.6 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113571440A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 钱志成;孙西龙;徐俊;栗锐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 ctlm 测量 sic 芯片 欧姆 接触 电阻率 方法 | ||
1.一种改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，其特征在于包括以下步骤：
在SiC芯片的背面生长欧姆金属层；
在欧姆金属层上进行刻蚀形成第一CTLM图形层；
对第一CTLM图形层进行退火；
在退火后的第一CTLM图形层上生长导电金属层；
对导电金属层进行刻蚀形成与第一CTLM图形层中测试图形形状相同的第二CTLM图形层；
采用四探针法测量第二CTLM图形层的电压和电流，结合第一CTLM图形层中测试图形的尺寸计算欧姆接触电阻率。
2.根据权利要求1所述的改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，其特征在于：所述在SiC芯片的背面生长欧姆金属层包括：在SiC芯片的衬底上掺杂离子，且掺杂的离子为N+，掺杂浓度为1x1018cm-3～1x1020cm-3。
3.根据权利要求1所述的改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，其特征在于：所述欧姆金属层的材料为Ni、Ti、Al以及Ni/Al合金中的一种，所述欧姆金属层的厚度为50nm～200nm。
4.根据权利要求1所述的改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，其特征在于：所述第一CTLM图形层与第二CTLM图形层中测试图形数量为4～8个，每个测试图形的内径相同，且测试图形的内径r为200μm～600μm，外径Ri＝r+80μm，其中，Ri+1＝Ri+r/10，i≥1，Ri+1为Ri相邻测试图形的外径。
5.根据权利要求1所述的改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，其特征在于：所述退火的方式为激光退火或快速热退火，其中激光退火的能量密度为2J/cm2～8J/cm2，快速热退火温度为750℃～1000℃。
6.根据权利要求1所述的改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，其特征在于：所述导电金属层的材料为高导电金属，厚度为1μm～4μm。
7.根据权利要求1所述的改进型CTLM法测量SiC芯片欧姆接触电阻率的方法，其特征在于：所述第一CTLM图形层中测试图形的内径和外径与第二CTLM图形层均相差W，且0≤W≤5μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
