[发明专利]一种有机半导体单晶及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110696458.5 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113638050B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 刘城芳;王嘉波;李爽;赖文勇 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/06;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张雯 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤如下：选取质量比为1：1的两种具有苯环共轭结构的有机半导体材料，混入有机溶剂后制成混合溶液，再将上述混合溶液滴加在基底上，待有机溶剂完全挥发后即得到所述有机半导体单晶；所述有机溶剂为二氯甲烷和甲醇的混合物，所述二氯甲烷和甲醇的体积比为1:（1~4）；所述基底为p型重掺杂的SiO2/Si硅片基底；所述具有苯环共轭结构的有机半导体材料为TrNa和TIPS，所述TIPS为菱形晶体，所述TrNa的结构式如下式所示：
，其中，R为烷烃链。
2.根据权利要求1所述的一种有机半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述基底经过OTS或PMMA处理。
3.根据权利要求1所述的一种有机半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂挥发的温度为10℃~40℃。
4.根据权利要求1所述的一种有机半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的浓度为0.05mg/mL~10 mg/mL。
5.权利要求1~4任意一项所述的有机半导体单晶的制备方法制得的有机半导体单晶。
6.权利要求5所述的有机半导体单晶在制备有机单晶场效应晶体管中的应用。
7.一种有机单晶场效应晶体管，其特征在于，包含权利要求5所述的有机半导体单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110696458.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改良型碱锰电池的制备方法及碱锰电池
- 下一篇：智能控制器
