[发明专利]一种多层RDL去层工艺在审
申请号: | 202110696714.0 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113510538A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 高峰;李苏佼;陈景亮;叶金明;戴伟峰 | 申请(专利权)人: | 闳康技术检测(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;C23F1/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 rdl 工艺 | ||
本申请涉及一种多层RDL去层工艺,涉及微电子技术领域,其包括如下步骤:步骤S1.对覆盖层进行研磨直至露出bump层;步骤S2.对bump层进行打磨,直至打磨RDL3层;步骤S3.去除RDL3表面的有机层,露出位于有机层下方的的走线层;步骤S4.去除走线层上布置的铜走线;步骤S5.对barrier层进行研磨、抛光处理;步骤S6.重复以上步骤对位于barrier层下方的RDL2层和RDL1层进行研磨处理,直至研磨至die层。本申请具有逐层分析检测效果较好的效果。
技术领域
本申请涉及微电子技术领域,尤其是涉及一种多层RDL去层工艺。
背景技术
随着智能电话、平板电脑等消费电子器件的小型化的市场需求,生产中需要使用更小、更紧凑的器件,器件常常采用微机电系统 (MEMS)。MEMS器件由小部件组成并通常使用改进地通常用于制备电子设备的半导体器件制备技术来制造。
相关技术中, MEMS器件的部件容易受环境条件影响,为此需要对MEMS器件进行保护,一般采用MEMS封帽工艺密封。布线是高密度的封装技术中必不可少的工艺,其应用较广泛。例如用于对晶圆片级芯片尺寸封装中微凸点阵列的重排布及对硅通孔转接板中微小间距连接点的分散重布置等。
再布线层(RDL)是封装器件中电性连接的关键结构,再布线层(RDL)是将原来设计的IC线路接点位置(I/O pad),通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置,使IC能适用于不同的封装形式。晶圓級金属布线制程,是在IC上涂布一层绝缘保护层,再以曝光显影的方式定义新的导线图案,然后利用电镀技术制作新的金属线路,以连接原来铝垫和新的凸块或者金垫,达到线路重新分布的目的。重新布线的金属线路以电镀铜材料为主。
倘若RDL布置有多层,多层RDL出现问题,将会导向 MEMS出现故障失效,然而对多层RDL进行分析和检测都是将多层RDL直接去除,无法逐层检测,亟待改进。
发明内容
为了改善无法对多层RDL逐层检测的问题,本申请提供一种多层RDL去层工艺。
本申请提供的一种多层RDL去层工艺采用如下的技术方案:
一种多层RDL去层工艺,包括如下步骤:
步骤S1.对覆盖层进行研磨直至完全露出bump 层;
步骤S2.对bump 层进行打磨,直至打磨RDL3层;
步骤S3.去除RDL3表面的有机层,露出位于有机层下方的的走线层;步骤S4.去除走线层上布置的铜走线;
步骤S5.对barrier层进行研磨、抛光处理;
步骤S6.重复以上步骤对RDL2层和RDL1层进行研磨处理,直至研磨至die层。
通过采用上述技术方案,逐层对覆盖层、bump 层、RDL3层进行打磨,便于在检测作业中逐层进行检测,且由于RDL2层和RDL1层与RDL3层不接触,当检测完RDL3层后再对RDL2层和RDL1层进行检测,便于工作人员对MEMS出现故障失效做具体分析。
优选的,将带有多层RDL的PCB板置于底板上,在PCB板与底板的连接处涂覆热熔胶,并对覆盖层进行打磨处理。
通过采用上述技术方案,使用热熔胶将PCB板固定在底板上,在对覆盖层进行打磨时,PCB板不易发生晃动,提高了对多层RDL去层作业中的稳定性。
优选的,步骤S2中,采用细水砂纸将bump 层上的锡球打磨,并收集打磨后的锡粉末。
通过采用上述技术方案,细水砂纸对锡球进行打磨,细水砂纸在打磨中产生的热量较少,锡球的熔点较低,减少了打磨锡球摩擦产生的热量过高融化锡球的情况发生,并对打磨后的锡粉末进行收集,从而减少锡粉末扬出被工作人员吸入,有利于对工作人员进行保护。
优选的,步骤S3具体包括:
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