[发明专利]一种压接型高压大功率芯片结构及功率器件在审
| 申请号： | 202110696913.1 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113421875A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘招成;李超;崔翔;李学宝;赵志斌 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 高压 大功率 芯片 结构 功率 器件 | ||
1.一种压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述功率芯片结构包括：芯片半导体和四个金属保护层结构；
四个所述金属保护层结构分别设置在所述芯片半导体的终端区结构的四个倒角区域。
2.根据权利要求1所述的压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述金属保护层结构为U型金属保护层结构。
3.根据权利要求2所述的压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述U型金属保护层结构的横截面为由第一直线、第二直线、第三直线和圆弧曲线围成的封闭区域；
所述第一直线的一端与所述第二直线的一端直角连接，所述第二直线的另一端与所述第三直线的一端直角连接，所述第一直线的另一端与所述圆弧曲线的一端连接，所述圆弧曲线的另一端与所述第三直线的另一端连接。
4.根据权利要求3所述的压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述圆弧曲线的弧度与所述终端区结构的四个倒角的弧度相同。
5.根据权利要求1所述的压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述金属保护层结构的厚度在100微米到200微米之间。
6.根据权利要求1所述的压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述芯片半导体包括有源区源胞结构和终端区结构，所述终端区结构设置在所述有源区源胞结构的外部。
7.根据权利要求6所述的压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述终端区结构包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的半导体终端结和截止环，及覆盖在所述半导体衬底、所述半导体终端结和所述截止环上的钝化层；
所述金属保护层结构设置在所述钝化层上与所述截止环的四个角的位置所对应的位置。
8.根据权利要求6所述的压接型高压大功率芯片结构，其特征在于，所述有源区源胞结构的上部设置有有源区金属层。
9.一种压接型高压大功率器件，其特征在于，所述功率器件包括集电极基板、多个电极和多个权利要求1-8任一项所述的功率芯片结构；
多个所述功率芯片结构成阵列的排列在所述集电极基板上；
多个所述电极分别一一对应的设置在多个所述功率芯片结构的芯片半导体的有源区源胞结构上。
10.根据权利要求9所述的压接型高压大功率器件，其特征在于，所述电极和所述功率芯片结构的数量均为12个。
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