[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括:

一衬底；

一第一接触结构设置在该衬底上，该第一接触结构包括一T形剖面形状，并且包括与该衬底接触的一第一部分以及位于该第一部分上的一第二部分；以及

两第一栅极结构设置在该衬底上并且位于该第一接触结构的两侧，其中该第一接触结构的一顶面与该两第一栅极结构的顶面齐平。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一接触结构的该第一部分与该两第一栅极结构的最底部直接接触。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该两第一栅极结构分别包括:

一下栅极部分；

一上栅极部分位于该下栅极部分上；以及

一硬掩模部分位于该上栅极部分上，其中该第一接触结构的该第一部分直接接触该下栅极部分的一侧壁以及该上栅极部分的一侧壁。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该第一接触结构的该第一部分与该下栅极部分的最底部直接接触。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该第一接触结构的该第二部分直接接触该两第一栅极结构的该上栅极部分的顶面。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，另包括:

两内间隙壁设置在该衬底上并且分别夹设在该第一接触结构的该第一部分与该两第一栅极结构之间，其中该两内间隙壁的顶面低于该两第一栅极结构的该上栅极部分的顶面。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，另包括:

两外间隙壁，分别设置在该两第一栅极结构相对于该两内间隙壁的一侧，其中该两第一栅极结构的该下栅极部分和该上栅极部分被该两外间隙壁的其中一者完全覆盖，且该两第一栅极结构的该硬掩模部分分别被该两外间隙壁的其中一者至少部分覆盖。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一接触结构具有一体成型的结构。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括

一衬底；

一第一接触结构设置在该衬底上并且包括一T形剖面形状；

两第一栅极结构设置在该衬底上并且位于该第一接触结构的两侧，其中该两第一栅极结构分别包括一电极部分以及位于该电极部上的一硬掩模部分；以及

一外间隙壁设置在该两第一栅极结构的相对于该第一接触结构的外侧，其中该第一接触结构直接接触该两第一栅极结构的该电极部分。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该第一接触结构直接接触该两第一栅极结构的该电极部分的顶面，且该第一接触结构的一顶面与该两第一栅极结构的该硬掩模部分的顶面齐平。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，另包括一内间隙壁设置在该两第一栅极结构邻近该第一接触结构的内侧，其中该内间隙壁的一顶面低于该两第一栅极结构的该电极部分的顶面。

12.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括:

于一衬底上形成两第一栅极结构；

于该两第一栅极结构的侧壁上形成间隙壁；

于该衬底上形成一电介质层覆盖该两第一栅极结构和该间隙壁；

进行一接触洞蚀刻工艺，蚀刻该电介质层以及部分位于该两第一栅极结构之间的该间隙壁，而于该两第一栅极结构之间形成一第一接触洞暴露出部分该衬底，其中该第一接触洞包括一T形剖面形状。

13.如权利要求12所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该两第一栅极结构分别包括:

一下栅极部分；

一上栅极部分位于该下栅极部分上；以及

一硬掩模部分位于该上栅极部分上，其中该硬掩模部分于该接触洞蚀刻工艺期间被部分移除而暴露出该上栅极部分的一顶面。