[发明专利]钙钛矿层、电子传输层、钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种钙钛矿层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:

1)在PbI₂的溶液中添加BMIMPF₆，并搅拌至澄清透明，得到第一溶液，其中，BMIMPF₆的质量分数为0.01％-0.2％；

2)制备含有FAI、MABr和MACl的澄清透明溶液，并作为第二溶液；

3)将步骤1)得到的所述第一溶液旋涂到承载层上，然后65-75℃退火0.2-2min；

4)在将步骤2)得到的所述第二溶液旋涂到承载层上，然后140-160℃退火10-20min；

5)冷却至室温，得到所述的钙钛矿层。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿层的制备方法，其特征在于：按照反应得到FA_0.87MA_0.13PbBr_0.13I_2.87的量配置各成分，得到钙钛矿层。

3.一种电子传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:在基底上制备电子传输基层，然后配置质量分数为0.01％-1％的BMIMPF₆的无水乙醇溶液，并将其旋涂在所述电子传输基层上，再在75-85℃退火4-6min，即得所述的电子传输层。

4.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)获取洁净的基底；

2)采用权利要求3所述的制备方法在步骤1)得到的所述基底上制备电子传输层；

3)采用权利要求2所述的制备方法在步骤2)得到的所述电子传输层上制备钙钛矿层，其中，所述的承载层为步骤2)得到的所述电子传输层；

4)在步骤3)得到的所述钙钛矿层上制备空穴传输层；

5)在所述的空穴传输层上制备电极，得到所述的钙钛矿太阳能电池。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：

步骤1)中，所述的基底为透明导电玻璃FTO；

步骤2)中，所述的电子传输层由SnO₂层和位于其上的BMIMPF₆层组成；

步骤3)中，所述的钙钛矿层为FA_0.87MA_0.13PbBr_0.13I_2.87层；

步骤4)中，所述的空穴传输层为充分氧化的spiro-OMeTAD层；

步骤5)中，所述的电极为Au电极。

6.一种根据权利要求4或5所述的制备方法制备得到的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：其结构为FTO/SnO₂+BMIMPF₆/FA_0.87MA_0.13PbBr_0.13I_2.87/spiro-OMeTAD/Au。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：SnO₂+BMIMPF₆层中，BMIMPF₆厚度为5-20nm。

8.根据权利要求6或7所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：FA_0.87MA_0.13PbBr_0.13I_2.87层中，钙钛矿晶粒的大小为0.5-4μm。