[发明专利]一种新型QFN芯片封装工艺

说明书

本发明公开了一种新型QFN芯片封装工艺，包括对芯片框架结构的压制、芯片座的涂胶、芯片的固化、塑封板的裁切和固化，涉及集成电路封装技术领域，通过在机架的一侧设置裁切机构，首先将塑封板放入活动架内部的凹槽中，裁切气缸驱动轴推动裁切刀架底端对塑封板施压，直至裁切刀架的底端进入裁切槽的内部，利用裁切刀架对塑封板施压，使塑封板和芯片的顶面贴合，采用静压裁切的方式对塑封板进行裁切，能够避免使用切割刀切割分离器件的过程中切到金属框架的情况出现，保证产品引脚边缘的平滑，同时能够有效提高刀片的使用寿命，并且通过平移轨道带动放料架在底座上进行平移，能够减少封装工序，有效提高对芯片的封装效率。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，具体为一种新型QFN芯片封装工艺。

背景技术

QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘；

而目前在对QFN芯片进行封装时，需要使用切割刀切割分离器件，切割过程中切割刀在切割塑封料的同时也会切到金属，造成产品引脚边缘卷边，减少刀片寿命，影响产品品质；

而为了解决上述问题，本发明提出一种新型QFN芯片封装工艺。

发明内容

（一）解决的技术问题

为解决上述问题，本发明提供了一种新型QFN芯片封装工艺。

（二）技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种新型QFN芯片封装工艺，包括以下步骤：

步骤一、将金属薄片放入上料机构中，金属薄片在固定架内部的上料槽中，上料槽内部的两个挡料板对金属薄片进行限位，接着两个电动推杆驱动轴推动上料架从上料槽中伸出，直至上料架平移至放料架的正上方，对两个电磁铁进行通电，使两个电磁铁相互吸引，将挡料板收入活动槽中，上料槽内部的金属薄片落入放料槽中；

步骤二、启动压料机构，压料气缸驱动轴推动压料板向下移动，压料板底部的凸块对金属薄片进行施压，将金属薄片压制成芯片框架结构，将芯片座通过粘结剂粘合在芯片框架结构的内部；

步骤三、平移轨道内部的直线电机带动放料机构向右侧平移，直至放料架平移至涂胶机构的正下方，启动涂胶机构，伺服电缸一驱动轴推动涂胶架向下移动，直至涂胶架底部的涂胶头与芯片座的顶面接触，两个伺服电缸二驱动轴推动活塞板向下移动，将腔室内部的胶料通过涂胶头涂覆在芯片座的顶面；

步骤四、直线电机将放料架平移至固化机构的正下方，将芯片放置在芯片座的顶面，启动固化机构，伺服电缸三驱动轴的一端推动固化框下降至芯片的上方，开启紫外灯，对芯片座和芯片之间进行紫外光固化，接着再将放料架平移至涂胶机构的下方，对芯片的顶面进行涂胶处理；

步骤五、直线电机将放料架平移至裁切机构的正下方，将塑封板放入活动架内部的凹槽中，活动架平移至放料架的上方，裁切气缸驱动轴推动裁切刀架下降，裁切刀架的底端对塑封板施压，直至裁切刀架的底端进入裁切槽的内部，利用裁切刀架对塑封板施压，使塑封板和芯片的顶面贴合，最后将放料架平移至固化机构的下方，对塑封板和芯片之间进行紫外光固化处理，完成QFN芯片封装处理。

优选的，步骤一中，两个电磁铁通过PLC编程控制，上料架在平移至放料架正上方后，改变通入电磁铁内部电流的方向。

优选的，步骤二中，压料板底部的凸块与成型槽之间相配合，金属薄片在成型槽中经过压制形成芯片框架结构。

优选的，步骤三中，腔室中装有银胶，腔室内部温度控制在20-25℃，湿度为30-60%RH，涂胶头的顶端与涂胶架的底部螺纹连接。

优选的，步骤四中，固化温度为130-135℃，固化处理时间为30-35min。