[发明专利]MOSFET及其制作方法

说明书

本发明公开了一种MOSFET及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底具有相反的第一表面和第二表面；所述第一表面具有外延层；在所述外延层背离所述衬底的表面内形成阱区和沟槽栅极结构；所述外延层背离所述衬底的表面具有第一区域和第二区域，所述阱区位于所述第一区域，所述沟槽栅极结构位于所述第二区域；在所述阱区背离所述衬底的一侧表面内形成源区；在所述外延层内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述阱区朝向所述衬底的一侧，且与所述阱区接触；所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相同，用于提高击穿电压；形成与所述源区连接的第一电极。本申请技术方案，可以在降低器件导通电阻的同时，提高击穿电压。

技术领域

本发明涉及半导体集成技术领域，尤其是涉及一种MOSFET及其制作方法。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管。由于MOSFET具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来被广泛应用在大量电子设备中，包括电源、汽车电子、计算机和智能手机中等，受到越来越多的关注。

现有技术中，常用的降低MOSFET器件导通电阻的方法，往往需要降低外延层电阻率，即提高外延层掺杂浓度，但由此会导致器件击穿电压降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种MOSFET及其制作方法，可以在降低器件导通电阻的同时，提高击穿电压。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种MOSFET的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底，所述衬底具有相反的第一表面和第二表面；所述第一表面具有外延层；

在所述外延层背离所述衬底的表面内形成阱区和沟槽栅极结构；所述外延层背离所述衬底的表面具有第一区域和第二区域，所述阱区位于所述第一区域，所述沟槽栅极结构位于所述第二区域；

在所述阱区背离所述衬底的一侧表面内形成源区；

在所述外延层内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述阱区朝向所述衬底的一侧，且与所述阱区接触；所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相同，用于提高击穿电压；

形成与所述源区连接的第一电极。

优选的，在上述的制作方法中，在所述外延层背离所述衬底的表面内形成阱区和沟槽栅极结构，包括：

在所述第二区域形成沟槽，所述沟槽的深度小于所述外延层的厚度；

在所述沟槽的侧壁以及底部形成栅介质层；

在具有所述栅介质层的沟槽内形成栅极；

在所述第一区域内形成阱区。

优选的，在上述的制作方法中，还包括：

在形成所述栅介质层前，基于所述沟槽，在所述沟槽底部相邻的所述外延层内形成第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，用于降低导通电阻。

优选的，在上述的制作方法中，所述第一掺杂区的形成方法包括：

在所述源区形成窗口，所述窗口露出部分所述阱区；

基于所述窗口，在所述外延层内形成所述第一掺杂区。

优选的，在上述的制作方法中，所述第一掺杂区的形成方法包括：

在所述源区表面形成光刻胶层，所述光刻胶层具有镂空区域；

基于所述光刻胶层刻蚀所述源区，形成所述窗口；