[发明专利]一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法

权利要求书

1.一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，包括基底晶片、绝缘层、铌酸锂薄膜、脊型波导和覆盖层，其特征在于，还包括下沉金属电极，所述绝缘层设置在所述基底晶片上，所述铌酸锂薄膜设置在所述绝缘层上，所述脊型波导设置在所述铌酸锂薄膜上，所述下沉金属电极设置在所述脊型波导的两侧，所述下沉金属电极成对设置，所述覆盖层设置在所述脊型波导、所述铌酸锂薄膜和所述下沉金属电极表面，所述下沉金属电极边缘与所述脊型波导边缘间隔1微米至5微米，所述下沉金属电极下沿深于所述脊型波导下沿所在平面。

2.如权利要求1所述的下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述基底晶片采用材料包括铌酸锂、硅，所述基底晶片厚度为0.1毫米至2毫米。

3.如权利要求1所述的下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述绝缘层材料为二氧化硅，厚度为1微米至5微米。

4.如权利要求1所述的下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜材料结构为铌酸锂单晶，晶体切向为X切，厚度在0.1微米至1微米。

5.如权利要求1所述的，其特征在于，所述铌酸锂薄膜与所述绝缘层通过键合方式连接。

6.如权利要求1所述的下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述所述脊型波导为脊型结构，通过光刻配合刻蚀技术在所述铌酸锂薄膜上制造，所述脊型波导上沿宽度为0.5微米至5微米，侧壁倾角为30度至90度，高度为0.1微米至1微米。

7.如权利要求1所述的下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述下沉金属电极材料包括金。

8.如权利要求1所述的下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜的材料为5％摩尔掺镁。

9.如权利要求1所述的下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述覆盖层材料包括二氧化硅。

10.一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤一：利用离子切工艺在基底晶片上制得绝缘层，在所述绝缘层上制得铌酸锂薄膜；

步骤二：利用光刻配合刻蚀技术在所述铌酸锂薄膜上制备脊型波导；

步骤三：在所述脊型波导两侧刻蚀出槽；

步骤四：利用刻蚀配合电镀工艺制得下沉金属电极；

步骤五：在器件表面沉积覆盖层。