[发明专利]一种Micro LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110699384.0 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113421952A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;刘时彪;张胡梦圆;宿志浩;刘亚莹 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底一侧依次形成n型氮化镓层、量子阱有源层以及p型氮化镓层；
利用电感耦合等离子体ICP刻蚀技术，去除n电极区域的所述p型氮化镓层和所述量子阱有源层，露出n电极区域的所述n型氮化镓层；
利用碱性溶液腐蚀部分n电极区域的所述n型氮化镓层；
分别在所述p型氮化镓层和所述n型氮化镓层远离所述衬底的一侧形成p电极和n电极。
2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述利用电感耦合等离子体ICP刻蚀技术，去除n电极区域的所述p型氮化镓层和所述量子阱有源层，露出n电极区域的所述n型氮化镓层包括：
在所述p型氮化镓层远离所述衬底的一侧形成保护层；
利用干法刻蚀或湿法腐蚀工艺去除n电极区域的所述保护层；
将样品放置在ICP刻蚀设备中，采用Cl2和BCl3混合气体刻蚀n电极区域的所述p型氮化镓层和所述量子阱有源层，露出n电极区域的所述n型氮化镓层。
3.根据权利要求2所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述保护层包括200nm～300nm厚的二氧化硅层。
4.根据权利要求2所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，在利用碱性溶液腐蚀部分n电极区域的所述n型氮化镓层之前，还包括：
去除n电极区域之外的区域的所述保护层。
5.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述利用碱性溶液腐蚀部分n电极区域的所述n型氮化镓层包括：
量取1mol/L的碱溶液与反应皿中；
将ICP刻蚀后的样品放入所述反应皿中；
将所述反应皿放入80℃的水浴锅中维持15min后取出并清洗。
6.根据权利要求5所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述碱溶液包括KOH溶液或TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液。
7.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧依次形成n型氮化镓层、量子阱有源层以及p型氮化镓层之前，还包括：
在所述衬底一侧依次形成缓冲层和非掺杂氮化镓层。
8.根据权利要求7所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述n型氮化镓层位于所述非掺杂氮化镓层远离所述衬底的一侧。
9.根据权利要求1～8任一所述的Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述n型氮化镓层的厚度为1500nm～3000nm，所述量子阱有源层的厚度为250nm～400nm，所述p型氮化镓层的厚度为100nm～300nm。
10.一种Micro LED芯片，其特征在于，所述Micro LED芯片采用权利要求1～9任一所述的制备方法制备。
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