[发明专利]一种近红外光屏蔽薄膜材料、制备方法及应用

权利要求书

1.一种近红外光屏蔽薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法的步骤包括：

S1、小分子向列相液晶、紫外自由基可聚合单体、手性化合物、紫外吸收燃料和自由基光引发剂混配均匀，制得胆甾相液晶复合体系；

S2、小分子向列相液晶、紫外自由基可聚合单体和自由基光引发剂混配均匀，制得向列相液晶复合体系；

S3、将S1的胆甾相液晶复合体系灌入第一液晶盒中，并进行优化平面织构处理；所述第一液晶盒预先用疏油封装板和亲油封装板进行了封装；

S4、对S3处理后的第一液晶盒进行紫外光辐照聚合，形成密度梯度分布的聚合物网络；

S5、用垫片和取向处理的封装板替换所述第一液晶盒的疏油封装板，得到第二液晶盒；

S6、在毛细作用下，将S2的向列相液晶复合体系灌入所述第二液晶盒，手性化合物和紫外吸收染料会自动扩散形成液晶分子螺距的梯度分布，再对第二液晶盒进行紫外光辐照聚合得到近红外光屏蔽薄膜材料；

步骤S2的位置不固定；

步骤S1中各成分的质量分数为：小分子向列相液晶为65～90％，紫外自由基可聚合单体为8～20％ ,手性化合物为0 .6～10％，紫外吸收染料为0 .1～2％，自由基光引发剂为0.1～1％；

步骤S2中各成分的质量分数为：小分子向列相液晶为79～95％，紫外自由基可聚合单体为6～20％，自由基光引发剂为0 .1～1％。

2.根据权利要求1所述的近红外光屏蔽薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中优化平面织构处理具体为采用烘烤方式进行处理，烘烤温度为：低于胆甾相液晶复合体系清亮点温度10℃～15℃，烘烤时间为1～5min。

3.根据权利要求1所述的近红外光屏蔽薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述亲油封装板的制备工艺为：先将硅烷偶联剂与水、醇类按比例混匀，然后浸入玻璃基体中超声处理，再用乙醇清洗2～3遍，在保护气体下进行干燥后制得亲油封装板。

4.根据权利要求1所述的近红外光屏蔽薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述亲油封装板的制备工艺为：将聚四氟乙烯溶液和乙醇按比例混匀，将混合液滴在玻璃基板上并旋涂均匀，再进行烘干和平行定向取向处理制得疏油封装板。

5.根据权利要求1所述的近红外光屏蔽薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S4中紫外光辐照聚合的参数包括：所述第一液晶盒的厚度为5～50μm，聚合温度为20～50℃，紫外光强为0 .1～2mW/cm²，聚合时间为5～15min。

6.根据权利要求1所述的近红外光屏蔽薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S6中紫外光辐照聚合的参数包括：聚合温度为20～50℃，紫外光强为0 .1～50mW/cm²，聚合时间为20～30min。

7.一种近红外光屏蔽薄膜材料，其特征在于，所述近红外光屏蔽薄膜材料采用如权利要求1-6任一所述的制备方法制备；所述近红外光屏蔽薄膜材料具有1750nm以内的选择性反射波宽。

8.一种如权利要求1-6任一所述的近红外光屏蔽薄膜材料的制备方法制备的薄膜在光屏蔽中的应用。