[发明专利]一种高精密金刚石抛光片的制备方法

权利要求书

1.一种高精密金刚石抛光片的制备方法，包括以下步骤：

A. 预图形化：利用激光烧蚀技术在抛光后的、光滑洁净的SiC基体表面进行图案化处理，获得具有不同柱状阵列图案的图形化基体；激光频率4～20 KHz，激光轴向速度20～200μm/s，烧蚀的厚度100～200 μm；

B. 等离子体刻蚀：将预图形化的SiC基体置入微波等离子体化学气相沉积装置中，通入氧气和氢气，开启设备，激发形成氧和氢的复合等离子体，利用等离子体清洁基体表面，同时产生刻蚀作用，将柱状阵列转化为尖锥阵列；等离子体刻蚀的工艺参数为：气压2～8kPa，微波功率 1～3 kW，基体温度600～1000 ℃，氢气流量为300-600 sccm，氧气流量为氢气流量的1~10%；

C. 制备纳米金刚石涂层：上述等离子体清洁步骤完成后，停止通入氧气，通入含碳气体同时调节氢气流量，在图形化基体表面沉积纳米金刚石膜，最终在SiC基体表面制备由纳米金刚石包覆的尖锥阵列的高精密金刚石抛光片。

2.根据权利要求1所述的高精密金刚石抛光片的制备方法，其特征在于：在步骤A中，烧蚀图案可为矩形阵列或同心圆阵列，其中图案单个图形为三角形、圆形或多边形等中的任意一种，相邻单个图形的间距为50-200 μm。

3.根据权利要求1所述的高精密金刚石抛光片的制备方法，其特征在于：在步骤C中，含碳气体是CH₄或C₂H₂中的任意一种，腔体气压 2000～8000 Pa，氢气流量为100-200 sccm，CH₄或C₂H₂与H₂的气体体积流量比1：1～1：5，微波功率2～60 kW，基体温度600～1000 ℃，制备纳米金刚石的厚度10 μm～200 μm，粒径为10~100 nm。