[发明专利]一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体

权利要求书

1.一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法，其特征在于：包括以下步骤，

S1、获取TMDCs材料；

S2、将TMDCs材料转移至超平PTFE基底表面，或者通过热蒸镀法在TMDCs材料上沉积出超平PTFE薄膜，从而构建出PTFE与TMDCs的垂直异质界面，实现对TMDCs的p型掺杂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在S2中，所述超平PTFE基底为表面粗糙度在1-10nm的PTFE薄板或者表面粗糙度在1-10nm的PTFE薄膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述表面粗糙度在1-10nm的PTFE薄板通过以下步骤获得：

将商用PTFE薄板夹持固定在两片超平载体之间，其中所述超平载体的表面粗糙度为0.1-2nm；

再在软化温度为200-350℃、软化时长为10-60min的条件下，通过热压法将所述商用PTFE薄板软化重塑后得到所述表面粗糙度在1-10nm的PTFE薄板。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述表面粗糙度在1-10nm的PTFE薄膜通过以下步骤获得：

将PTFE粉末置于管式炉的中游，将载体置于管式炉的下游；

将管式炉的真空度控制在1-100Pa；

再在载气氮气流速为10-200sccm、PTFE粉末处的加热温度为300-700℃、载体处的温度为10-50℃、热蒸镀时间为10-60min的条件下，通过热蒸镀法在载体上获得所述表面粗糙度在1-10nm的PTFE薄膜。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述超平PTFE基底为表面粗糙度在5-7.5nm的PTFE薄板或者表面粗糙度在3.5-6.5nm的PTFE薄膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在S2中，在构建PTFE与TMDCs的垂直异质界面之前，还包括以下步骤：

将所述超平PTFE基底置于等离子体中进行等离子体处理，从而调控所述超平PTFE基底的表层含氟量。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述等离子体为氢气或者氮气，流速为1-2000sccm、等离子体功率为1-5000W、反应时长为1-120min。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述TMDCs材料的代表性结构为MXn；其中，M为金属，所述金属包括Mo、W、Pt、Hf、In、Re、Nb、Ta、Ga、Sn、Mn、Co、Zr及其合金化合物；X包括O、S、Se、Te及其合金以及Janus化合物；其中n为大于等于1的自然数；其中，所述TMDCs材料为通过气相沉积获得的单层或者少层材料，并通过湿法转移至所述超平PTFE基底表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在S2中，所述通过热蒸镀法在TMDCs材料上沉积出超平PTFE薄膜的步骤包括：

将PTFE粉末置于管式炉的中游，以及将TMDCs材料置于管式炉的下游；

将管式炉的真空度控制在1-100Pa；

再在载气氮气流速为10-200sccm、PTFE粉末处的加热温度为350-700℃、TMDCs材料处的温度为10-50℃、热蒸镀时间为10-60min的条件下，通过热蒸镀法在所述TMDCs材料上沉积出表面粗糙度为1-10nm、厚度为1-200nm的PTFE薄膜。

10.一种基于权利要求1-9任一项所述方法获得的p型TMDCs半导体。