[发明专利]一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法

权利要求书

1.一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将电沉积液中的镍金属离子沉积在铜衬底的一侧形成镍层；所述电沉积液的配方为：

镍0.1 g/L~0.8g/L，硫酸0.5 g/L ~3.5 g/L，氨基磺酸0.02 g/L～0.1 g/L，硼酸20 g/L～60 g/L；

S2、在镍层上覆一层有机膜，制备有机膜采用的膜溶液配方为：成膜剂为聚甲基丙烯酸甲酯，溶剂为苯甲醚，且成膜剂的含量为10 g/L ~100 g/L；

S3、将步骤S2制备的镍-63放射源浸没在衬底去除溶液中去除铜衬底，衬底去除溶液的配方为：衬底去除剂为氯化铁、过硫酸铵或过硫酸钾，溶剂为水，且衬底去除溶液中衬底去除剂的含量为10 g/L～100 g/L；

S4、去除步骤S3制备的无衬底镍-63放射源上的有机膜，获得无衬底超薄镍-63放射源。

2.根据权利要求1所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，步骤S1中， 所述电沉积液的pH值调节至3.5~5.5。

3.根据权利要求1所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述铜衬底的厚度为10 µm～50 µm，用乙醇浸泡10 min~60 min，用去离子水清洗干净，自然晾干。

4.根据权利要求1所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述沉积采用电沉积制源，具体过程如下：

将铜衬底固定在电沉积槽底部，向电沉积槽内加入电沉积液进行电沉积，电沉积的电流密度为1.5 A/dm²～8.0 A/dm²，铂电极转速为50 r/min～120 r/min，电沉积时间为40min～100 min。

5.根据权利要求1所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，步骤S2中，覆膜的具体过程如下：

在镍层上滴加膜溶液，滴加量为0.1 mL/cm²~0.5 mL/cm²，然后采用匀胶机对膜溶液进行旋涂，最后进行烘干处理形成有机膜，烘干温度为130 ℃～220 ℃，烘干时间为0.5 h～2h。

6.根据权利要求5所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，所述膜溶液为将成膜剂溶解在溶剂中获得。

7.根据权利要求5所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，旋涂过程为：

先设置转速为100 r/min～400 r/min，匀胶时间为10 s~20 s；再设置转速为1000 r/min～5000 r/min，匀胶时间为30 s~120 s。

8.根据权利要求1所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述衬底去除溶液为衬底去除剂溶解于水中获得。

9.根据权利要求1所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，步骤S3中，浸没时间为10 min～60 min。

10.根据权利要求1所述的一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法，其特征在于，步骤S4中，去除有机膜的具体过程如下：

用丙酮溶液润湿脱脂棉擦拭有机膜，然后采用干燥脱脂棉将溶液吸干，重复上述擦拭、吸干，直到有机膜完全去除。