[发明专利]一种氮化铝衬底模板的制作方法

权利要求书

1.一种氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、在衬底上溅射一层氮化铝溅射层；(2)、将溅射有氮化铝溅射层的衬底放入MOCVD炉内，在所述氮化铝溅射层上生长第一低温氮化铝层；(3)、在所述MOCVD炉内，对所述第一低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻，以在所述第一低温氮化铝层的表面刻蚀出分布均匀且大小一致的孔洞；(4)、在所述MOCVD炉内，继续在高温蚀刻后的所述第一低温氮化铝层上生长第二低温氮化铝层；其中，所述低温的范围为600-850℃，所述高温的范围为1100-1400℃。

2.根据权利要求1所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，所述步骤(3)具体为：将所述MOCVD炉内的温度升高到1100-1400℃，压力调节到30-600mbar，通入氢气5-50SLM，对所述第一低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻，并且，所述孔洞的深为5-100nm，直径为5-30nm，相邻两个所述孔洞之间的间隔为30-50nm。

3.根据权利要求2所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：(5)、在所述MOCVD炉内，继续对所述第二低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻，以在所述第二低温氮化铝层的表面刻蚀出分布均匀且大小一致的孔洞；(6)、在所述MOCVD炉内，继续在高温蚀刻后的所述第二低温氮化铝层上生长第三低温氮化铝层。

4.根据权利要求3所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)具体为：将所述MOCVD炉内的温度升高到1100-1400℃，压力调节到30-600mbar，通入氢气5-50SLM，对所述第二低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻，并且，所述孔洞的深为5-100nm，直径为5-30nm，相邻两个所述孔洞之间的间隔为30-50nm。

5.根据权利要求4所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，在生长所述第一低温氮化铝层、第二低温氮化铝层和第三低温氮化铝层时，控制所述MOCVD炉内的温度为600-850℃，压力为50-200torr，通入三甲基铝和氨气，使得生长的所述第一低温氮化铝层、第二低温氮化铝层和第三低温氮化铝层的厚度均为200-300nm。

6.根据权利要求5所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：(7)、在所述MOCVD炉内，在最上层低温氮化铝层上生长粗化层且所述粗化层的厚度为100-700nm。

7.根据权利要求6所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：(8)、在所述MOCVD炉内，在所述粗化层上生长恢复层且所述恢复层的厚度为100-2000nm。

8.根据权利要求7所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：(9)、在所述MOCVD炉内，在所述恢复层上生长高温氮化铝层，所述高温氮化铝层的生长温度为1300℃以上，生长压力为50-200torr，且所述高温氮化铝层的厚度为500-5000nm。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)具体为：将所述衬底放入溅射设备中进行溅射，溅射过程中功率为1000～4000W，氮气通入量为10～500sccm，氧气通入量为0～50sccm，氩气通入量为1～500sccm，温度为400～950℃，得到的所述氮化铝溅射层的厚度为5-1000nm。

10.根据权利要求9所述的氮化铝衬底模板的制作方法，其特征在于，所述衬底是蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。