[发明专利]双极型晶体管的基极电流镜像电路、RSSI电路及芯片

权利要求书

1.一种双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，用于镜像待镜像双极型晶体管的基极电流，包括电路输入端、电路输出端、镜像双极型晶体管、箝位电路、第一电流镜、第一电流源和第二电流源，所述基极电流镜像电路的所述电路输入端由所述待镜像双极型晶体管的集电极引出；

所述箝位电路包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述箝位电路的所述第一输入端与所述基极电流镜像电路的所述电路输入端电连接，所述箝位电路的所述第二输入端与所述镜像双极型晶体管的集电极电连接，所述箝位电路的输出端与所述第一电流镜电连接；

所述箝位电路用于箝位所述待镜像双极型晶体管的集电极和所述镜像双极型晶体管的集电极的电压；

所述第一电流镜的输入端、所述镜像双极型晶体管的基极及所述第一电流源的一端电连接。

2.如权利要求1所述的双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，进一步包括：

第一负载电路，其中所述第一电流镜的输出端、所述第二电流源的一端以及所述第一负载电路的输入端电连接；

所述第一负载电路的输出端与所述基极电流镜像电路的所述电路输出端电连接。

3.如权利要求2所述的双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，所述箝位电路包括差分输入单端输出的放大器，所述放大器的同相输入端为所述箝位电路的所述第一输入端，所述放大器的反相输入端为所述箝位电路的所述第二输入端，所述放大器的输出端为所述箝位电路的输出端。

4.如权利要求2所述的双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，所述第一电流镜包括第一MOS管和第二MOS管，所述箝位电路的输出端、所述第一MOS管的栅极及所述第二MOS管的栅极电连接；所述第一MOS管的漏极与所述镜像双极型晶体管的基极电连接；所述第二MOS管的漏极与所述第一负载电路的输入端电连接；

所述第一MOS管的宽长比和所述第二MOS管的宽长比的比值等于所述第一电流源的电流与所述第二电流源的电流的比值。

5.如权利要求2所述的双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，所述第一负载电路包括第二电流镜，所述第二电流镜的输入端接至所述第一负载电路的输入端，所述第二电流镜的输出端输出至所述第一负载电路的输出端，所述第二电流镜的输入支路的电流与所述第二电流镜的输出支路的电流之比为1：n，所述n为正实数。

6.如权利要求2所述的双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，所述待镜像双极型晶体管的集电极串联第一负载，所述镜像双极型晶体管的集电极串联第二负载。

7.如权利要求6所述的双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，所述第一负载和所述第二负载均为电阻。

8.如权利要求2所述的双极型晶体管的基极电流镜像电路，其特征在于，所述待镜像双极型晶体管的发射极串联第一电阻，所述第一电阻的阻值为R1，所述镜像双极型晶体管的发射极串联第二电阻，所述第二电阻的阻值为R2，所述待镜像双极型晶体管的发射极的面积为A_Q1，所述镜像双极型晶体管的发射极的面积为A_Q2，R2/R1等于A_Q2/A_Q1。

9.一种RSSI电路，用于跨阻放大器，所述跨阻放大器包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三电阻，所述跨阻放大器的输入电流分流为所述第一双极型晶体管的集电极电流、所述第三电阻的电流以及所述第二双极型晶体管的基极电流，其特征在于，

所述RSSI电路包括电阻电流镜像电路、集电极电流镜像电路和如权利要求1至8任一项所述双极型晶体管的基极电流镜像电路；

所述第二双极型晶体管为所述待镜像双极型晶体管；

所述电阻电流镜像电路用于镜像所述第三电阻的电流；

所述集电极电流镜像电路用于镜像所述第一双极型晶体管的集电极的电流。

10.一种芯片，包括跨阻放大器，其特征在于，所述芯片还包括如权利要求9所述的RSSI电路。