[发明专利]一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路

权利要求书

1.一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路，其特征在于，包括SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂，在每一个桥臂中都包括基本驱动电路和串扰抑制电路。

2.根据权利要求1所述的抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路，其特征在于，上桥臂的基本驱动电路包括供电电压源V_1H、供电电压源V_2H、开关管S_1H、开关管S_2H、开通栅极电阻R_{on_H}、关断栅极电阻R_{off_H}；供电电压源V_1H的正极与开关管S_1H的漏极相连，供电电压源V_1H的负极与SiC MOSFET M₁的源极相连；所述开关管S_1H的源极与开通栅极电阻R_{on_H}的一端相连，开通栅极电阻R_{on_H}的另一端与SiC MOSFET M₁的栅极以及关断栅极电阻R_{off_H}的一端相连；供电电压源V_2H的负极与开关管S_2H的源极相连，供电电压源V_2H的正极与SiC MOSFET M₁源极以及供电电压源V_1H的负极相连；开关管S_2H的漏极与关断栅极电阻R_{off_H}的另一端相连；

下桥臂的基本驱动电路包括供电电压源V_1L、供电电压源V_2L、开关管S_1L、开关管S_2L、开通栅极电阻R_{on_L}、关断栅极电阻R_{off_L}；所述供电电压源V_1L的正极与开关管S_1L的漏极相连，供电电压源V_1L的负极与SiC MOSFET M₂源极相连；开关管S_1L的源极与开通栅极电阻R_{on_L}的一端相连，开通栅极电阻R_{on_L}的另一端与SiC MOSFET M₂的栅极以及关断栅极电阻R_{off_L}的一端相连；供电电压源V_2L的负极与开关管S_2L的源极相连，供电电压源V_2L正极与SiC MOSFETM₂源极以及供电电压源V_1L的负极相连；开关管S_2L的漏极与关断栅极电阻R_{off_L}的另一端相连。