[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多层膜，其中层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜；

栅电极；

栅极绝缘膜；

源电极；以及

漏电极，

其中，所述氧化物半导体膜和所述氧化物膜每一个都包含In-M-Zn氧化物，其中M为选自由Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Nd构成的组中的一个，并且所述氧化物膜具有比所述氧化物半导体膜小的In对M的原子个数比，

其中，所述氧化物膜的In对M的原子个数比为x:y，并且y大于或等于x，

其中，所述氧化物膜与所述氧化物半导体膜的上表面接触，

其中，所述氧化物半导体膜的上端与所述氧化物膜的下端大致一致，

其中，所述多层膜包括通过所述栅极绝缘膜与所述栅电极重叠的第一区域和不与所述栅电极重叠的第二区域，

其中，所述氧化物半导体膜具有在所述氧化物半导体膜的底表面与所述氧化物半导体膜的侧表面之间形成的第一角度，

其中，所述氧化物膜具有在所述氧化物膜的底表面与所述氧化物膜的侧表面之间形成的第二角度，

其中，所述第一角度小于所述第二角度且为锐角，

其中，所述源电极包括与所述氧化物膜的上表面接触的区域、与所述氧化物膜的侧表面接触的区域和与所述氧化物半导体膜的侧表面接触的区域，

其中，所述漏电极包括与所述氧化物膜的上表面接触的区域、与所述氧化物膜的侧表面接触的区域和与所述氧化物半导体膜的侧表面接触的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，M为Ga，并且

其中，所述氧化物半导体膜包括结晶部，

其中，所述结晶部的c轴平行于所述氧化物半导体膜的表面的法向量。

3.一种半导体装置，包括：

栅电极；

所述栅电极上的栅极绝缘膜；

第一In-M-Zn氧化物膜，在所述栅极绝缘膜上并且与所述栅极绝缘膜接触，其中M为选自由Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Nd构成的组中的一个；以及

所述第一In-M-Zn氧化物膜上的第二In-M-Zn氧化物膜，

其中，所述第一In-M-Zn氧化物膜具有在所述第一In-M-Zn氧化物膜的底表面与所述第一In-M-Zn氧化物膜的侧表面之间形成的第一角度，所述第一角度大于或等于10°并且小于90°，并且

其中，所述第二In-M-Zn氧化物膜具有比所述第一In-M-Zn氧化物膜小的In对M的原子个数比，

其中，所述第二In-M-Zn氧化物膜的In对M的原子个数比为x:y，并且y大于或等于x，并且

其中，所述第一In-M-Zn氧化物膜包括结晶部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，M为Ga。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述结晶部的c轴平行于所述第一In-M-Zn氧化物膜的表面的法向量。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述结晶部的c轴平行于所述第一In-M-Zn氧化物膜的表面的法向量。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二In-M-Zn氧化物膜具有在所述第二In-M-Zn氧化物膜的底表面与所述第二In-M-Zn氧化物膜的侧表面之间形成的第二角度，所述第一角度小于所述第二角度。