[发明专利]一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法

权利要求书

1.一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

步骤一.将六方氮化硼粉末或硼粉放入氧化铝或氮化硼坩埚中，将合金放于六方氮化硼粉末或硼粉上，合金先经过熔炼，使用磁力搅拌装置将装有合金的坩埚旋转，正反两面各熔融两次；所述合金，其成分质量比例为铁65%-80%，镍7%-10%，铬13%-20%，其他锰、铅元素总和为5%以下；所述六方氮化硼粉末或硼粉与合金的质量比为(1:30)-(1:10)；

步骤二.再加入碳粉，将氧化铝坩埚放入管式炉加热温区，用真空泵将炉管内压力抽至5*10^-2 Pa以下，抽完关闭真空泵，通氮气至常压，重复3-5次，最后通入氮气流保护，气流量为100-500 sccm；所述碳粉与六方氮化硼粉末或硼粉质量比为1:5-4:5；

步骤三.将所述的管式炉内温度加热至1400-1700℃，保持5-30 h，然后以不大于4℃/h的速度降温至1200-1500℃后结束加热，自然冷却至室温后取出样品。

2.根据权利要求1所述的一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，其特征在于所述合金为金属片或者金属颗粒。

3.根据权利要求1所述的一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，其特征在于所述步骤一中的熔炼为：温度1550℃，时间12h；或者用电弧熔炼炉，真空度5*10^-3 Pa，电弧压200V，最大温度不超过3500℃。

4.根据权利要求1所述的一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，其特征在于所述以不大于4℃/h的速度降温至1200-1500℃，具体降温速率为：在1549℃-1546℃用时6h，即0.5℃/h；1546℃-1541℃用时5h，即1℃/h；1541℃-1531℃用时5h，即2℃/h；然后以4℃/h降温到1400℃，自然冷却至室温后取出样品。