[发明专利]一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器有效
| 申请号： | 202110703321.8 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113437210B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 冯重舒;周铁军;骆泳铭;樊浩东;庄燕山 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 轨道 转矩 电流 调控 磁性 随机 存储器 | ||
1.一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器，其特征在于，该磁场传感器件具有多层膜结构，结构为：从上到下依次为保护层、薄膜层、导电层、缓冲层，所述导电层用于接入调控电流和测量电压，从而通过不断施加脉冲电流来控制其电阻的大小；其中保护层、薄膜层、导电层、缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层由Co、Pt多层膜构成，从上到下由Pt、Co、Pt、Co结构构成，两层Pt的厚度皆为0.2-0.3nm；上层Co的厚度为0.4-0.6nm,底层Co的厚度为1.0-1.2nm，或底层Co的厚度为0.4-0.6nm,上层Co的厚度为1.0-1.2nm。
2.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器，其特征在于，所述导电层应为导电材料，为Pt，厚度为3-5nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器，其特征在于，所述保护层应为保护材料，为Ta，厚度为3-5nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器，其特征在于，所述的缓冲层为缓冲材料Ta，厚度应为3-5nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器，其特征在于：给器件X方向两电极通入脉冲电流Is，可在Y方向两电极处可采集到电压Us，随着脉冲电流Is的强度不断改变，器件的电阻也相应的变化，从而实现信息存储。
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